Das CiS Forschungsinstitut bietet seinen Kunden die Durchführung von Leistungen auf dem Gebiet der Material- und Halbleiteranalytik, der Fehleranalyse und Qualitätssicherung an.
Das Institut hat insbesondere auf dem Gebiet der Material- und Halbleiteranalytik für Prozesse und Technologien der Mikrosystemtechnik und der Mikroelektronik eine langjährige Erfahrung. Wir bieten Ihnen Analysedienstleistungen in folgenden Bereichen:

Fotolithographie und Ätzprozesse

• REM-Bewertung von Strukturen zur Erfassung von Strukturbreiten und Rastermaßen sowie Strukturgestalt (Flankenform, Flankenwinkel) an Querbrüchen, Schliffen und ionenstrahlgeätzten Präparaten
• geometrische Vermessung von Siliziumstrukturen mittels kontaktloser IR-Schichtdickeninterferometrie

Dotierung und Hochtemperatur

• Eindringtiefenbestimmung an Schrägschliffen nach nasschemischer Dekoration und licht- und elektronenoptischer Vermessung
• Analyse von Tiefenprofilen von Dotierungselementen zur Bestimmung von Konzentrationsverlauf, Dosis und Eindringtiefe
• Abbildung von Lateralverteilungen der Dotierungselemente
• Qualitative Beurteilung von Reinigungsprozessen

Metallisierung und Passivierung

• REM-Bewertung zur Defektanalyse und Erfassung von Strukturparametern an Oberflächen und Querschnittspräparaten
• Analysen zur Bestimmung von Spurenelementen in Metallisierungsschichten
• Erfassung der Oberflächentopographie mittels optischer und taktiler Profilometrie

Gesamtprozessanalyse

• REM-Bewertung der Vertikalstruktur an Querschnittspräparaten
• Partikel-, Element- und Defektanalyse mittels ESMA
• Oberflächencharakterisierung und Rauheitsmessungen mittels Profilometrie und Rasterkraftmikroskopie
• Vermittlung von weiterführenden Dienstleistungen aus einem breiten Analytikspektrum in Zusammenarbeit mit langjährigen Kooperationspartnern
• technologische Dokumentation

Es stehen folgende Geräte und Methoden zur Verfügung:

• Metallografie (Schliff-, Zielschliff- und Poliertechnik für Proben bis zu einer Größe von 4“)
• Probenpräparation (Vakuumbedampfung, Sputter- und Ionenätzeinrichtung)
• Lichtmikroskopie
• Rasterelektronenmikroskopie
• Rasterkraftmikroskopie (Rauheitsanalyse im nm-Bereich)
• Elektronenstrahlmikroanalyse (EDX)
• Dynamische Sekundärionenmassenspektrometrie (Tiefenprofilanalyse, Ionenabbildungen, Massenspektrum)
• Optische Oberflächenprofilometrie (Flächen- und Linienscans mittels konfokalem und Autofokus-Sensor)

• E-Mail schreiben