Test & Analytik
Das CiS Forschungsinstitut bietet seinen Kunden die Durchführung von Leistungen auf dem Gebiet der Material- und Halbleiteranalytik, der Fehleranalyse und Qualitätssicherung an.
Das Institut hat insbesondere auf dem Gebiet der Material- und Halbleiteranalytik für Prozesse und Technologien der Mikrosystemtechnik und der Mikroelektronik eine langjährige Erfahrung. Wir bieten Ihnen Analysedienstleistungen in folgenden Bereichen:
Fotolithographie und Ätzprozesse
- REM-Bewertung von Strukturen zur Erfassung von Strukturbreiten und Rastermaßen sowie Strukturgestalt (Flankenform, Flankenwinkel) an Querbrüchen, Schliffen und ionenstrahlgeätzten Präparaten
- geometrische Vermessung von Siliziumstrukturen mittels kontaktloser IR-Schichtdickeninterferometrie
Dotierung und Hochtemperatur
- Eindringtiefenbestimmung an Schrägschliffen nach nasschemischer Dekoration und licht- und elektronenoptischer Vermessung
- Analyse von Tiefenprofilen von Dotierungselementen zur Bestimmung von Konzentrationsverlauf, Dosis und Eindringtiefe
- Abbildung von Lateralverteilungen der Dotierungselemente
- Qualitative Beurteilung von Reinigungsprozessen
Metallisierung und Passivierung
- REM-Bewertung zur Defektanalyse und Erfassung von Strukturparametern an Oberflächen und Querschnittspräparaten
- Analysen zur Bestimmung von Spurenelementen in Metallisierungsschichten
- Erfassung der Oberflächentopographie mittels optischer und taktiler Profilometrie
Gesamtprozessanalyse
- REM-Bewertung der Vertikalstruktur an Querschnittspräparaten
- Partikel-, Element- und Defektanalyse mittels ESMA
- Oberflächencharakterisierung und Rauheitsmessungen mittels Profilometrie und Rasterkraftmikroskopie
- Vermittlung von weiterführenden Dienstleistungen aus einem breiten Analytikspektrum in Zusammenarbeit mit langjährigen Kooperationspartnern
- technologische Dokumentation
Es stehen folgende Geräte und Methoden zur Verfügung:
- Metallografie (Schliff-, Zielschliff- und Poliertechnik für Proben bis zu einer Größe von 4“)
- Probenpräparation (Vakuumbedampfung, Sputter- und Ionenätzeinrichtung)
- Lichtmikroskopie
- Rasterelektronenmikroskopie
- Rasterkraftmikroskopie (Rauheitsanalyse im nm-Bereich)
- Elektronenstrahlmikroanalyse (EDX)
- Dynamische Sekundärionenmassenspektrometrie (Tiefenprofilanalyse, Ionenabbildungen, Massenspektrum)
- Optische Oberflächenprofilometrie (Flächen- und Linienscans mittels konfokalem und Autofokus-Sensor)