Das CiS Forschungsinstitut verfügt über alle erforderlichen messtechnischen Voraussetzungen zur Sicherung der Zuverlässigkeit und Stabilität des Waferprozesses, einschließlich eigener Softwareentwicklungen zur Genauigkeitsbestimmung. Dazu gehören auch Testfeld/Wafertester zur Waferqualifizierung von Test- und Funktionsparametern und die Auflösung der Parameter durch Doppelseitenwaferprober.
Es ist ein Druckmessplatz vorhanden, der die Bestimmung von Drucksensor-relevanten Parametern auf Waferebene ermöglicht.
Für die Prozesskontrolle und Schichtoptimierung von UV bis IR (bis 3000 nm) bei der Optimierung von sensorspezifischen Erkennungssystemen stehen entsprechende Messplätze,
Fehleranalysesysteme und Screening-Tests zur Verfügung. Darüber hinaus steht ein breites Spektrum an bildgebenden und festkörperanalytischen Methoden zur Verfügung, die nach Bedarf durch die Expertise externer Kooperationspartner ergänzt werden können.


Ausstattung:

• Halbautomatische 8"-Waferprober, 4"- und 6"-Doppelseitenwaferprober
• Probe pressure module für Druck-Messungen On-Wafer (MEMS)
• Optowaferprober (u.a. OBIC)
• Klimaprüfschränke
• Temperaturschockschrank
• Pressure Cooker
• Halbleitermesstechnik (CV, TVS, UBR, Pin-Hole, Lifetime)
• Festkörperanalytik (REM, EDX, AFM, Optische Profilometrie)

• E-Mail schreiben