Für die wirtschaftliche Realisierung von multifunktionalen Komponenten sowie Aufbauten und Packaginglösungen von Sensor- und anderen Systemkomponenten werden Wafer-scale Verfahren benötigt.
Im CiS steht moderne Anlagentechnik bestehend aus Bondaligner und flexibel einsetzbarem Substratbonder für folgende Wafer-Level-Bondverfahren zur Verfügung:

• Silizium-Direkt-Bonden (SDB): Hochtemperatur- und Niedertemperaturverfahren
• anodisches Bonden (AWB)
• eutektisches Waferbonden (EWB)
• Glasfritte-Bonden
• Thermokompressionsbonden
• adhäsives Bonden

Mit diesen Verfahren wurden bereits technologische Module zur Realisierung von Mehrfach-Stapelaufbauten basiserend auf der Kombination verschiedener Wafermaterialien und mehrerer Bondverfahren realisiert.
In der Verfahrensentwicklung steht chemisch-mechanisches Polieren (CMP) zur Oberflächenkonditionierung für anodisches Bonden und SDB zur Verfügung.
Für die Oberflächenkonditionierungen der Bondflächen wurde ein breites Spektrum an nass- und plasmachemischen Aktivierungsprozessen entwickelt und erprobt.