Im abgeschlossenen Forschungsvorhaben IJP-IR wurden alternative Prozesse auf Basis der Inkjet-Technologie und galvanischer Abscheidung für die Herstellung von IR-Emittern untersucht. Der neue Prozess reduziert Lithographie- und Hochvakuum-Schritte auf ein Minimum und erweitert die Materialauswahl für CMOS-kompatible Systeme
Das neue ZIM-Projekt IR-Batch legt den Fokus auf die Entwicklung neuer Montagetechnologien von Infrarot- Komponenten auf Basis polymerfreier Fügetechnologien für den Einsatz bei hohen Temperaturen und extremen Umgebungsbedingungen. Das CiS Forschungsinstitut ist für die Technologienentwicklung verantwortlich
Von der zentralen Idee, mehrere kleine und damit schnelle aktive Flächen in einem Chip zu integrieren, konnten anfangs durch hybride Integration von einzelnen, sehr kleinen (1×1 mm²) Chips schließlich in Varianten von monolithisch integrierten Arrays überführt werden
Ziel des neuen Forschungsvorhabens DotIR ist es, mit einer Dotierung des MoSi2 eine Verringerung der Elektromigration für eine Verbesserung der Lebensdauer von Infrarotemittern zu erreichen. Darüber hinaus wird untersucht, ob durch eine Dotierung die Emissivität im infraroten Spektralbereich erhöht werden kann
Miniaturisierte, infrarotsensitive Detektoren werden für kontaktfreie Temperaturmessungen sowie bildgebende und spektroskopische Anwendungen im Spektralbereich von 1 bis 15 µm benötigt. Dazu wurden im abgeschlossenen Projekt MyTZe Technologien zur Membranerzeugung entwickelt, ausgewählt und realisiert
Im neu gestarteten Projekt CNT-IR sollen Kohlenstoffnanoröhren und Einkapselungen zur Erhöhung der Emission des IR-Emitters bei gleichbleibender elektrischer Leistung eingesetzt werden. Zum Einsatz kommen solche Lichtquellen insbesondere bei optischen Gassensoren (NDIR-Sensoren)
Während der nächste Woche startenden Hannover Messe stellt das CiS Forschungsinstitut auf dem Thüringer Gemeinschaftsstand in Halle 3, Stand D76 einen galvanisch getrennten Inkrementalsensor vor. Im Rahmen des Förderprojektes GalGiS wurden neue Siliziumtechnologien entwickelt, um eine solche galvanische Trennung bereits auf Chipebene zu erreichen
Im abgeschlossenen Forschungsprojekt NIVo konnte ein neuer Thermopile-Sensor entwickelt werden, der nach dem Prinzip der isothermen Detektion von Infrarotstrahlung arbeitet und von der Vorderseite freigestellt ist. Diese Kombination ermöglicht die Herstellung einer neuen Art von hochleistungsfähigen Sensoren im Bereich der Thermographie
Am 30. Januar 2024 startet die SPIE Photonics West in San Francisco, eine der internationale Veranstaltungen für Lösungen, Komponenten und Systemunterstützung für die Optik- und Photonik-Industrie. Das CiS Forschungsinstitut ist als Aussteller zum wiederholten Mal auf dem German Pavilion in Halle F am Stand 4205-05 im Moscone Center dabei. Auch auf den begleitenden Konferenzen, die bereits am 27. Januar 2024 beginnen, sind wir mit fünf Beiträgen vertreten
Das Anfang November 2023 gestartete Projekt „Spannungsmanagement in dünnen Membranen für IR-Strahler und Sensoren“ widmet sich der wichtigen Technologieoptimierung für die Herstellung und den Betrieb von Infrarot (IR) Sensorchips. Ziel der Optimierungen ist eine erhöhte Ausbeute bei der Herstellung sowie eine höhere Lebensdauer der Bauteile im Einsatz
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