Für die mögliche Verwendung von ASi-Sii-Defekten als Qubits in der Quantentechnologie ist deren präzise lokale Erzeugung eine wesentliche Voraussetzung. Am CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik konnten nun erstmals lokale Leuchtzentren in Indium-dotiertem Silizium durch lokales Laserabschrecken erzeugt und nachgewiesen werden
Das neue Forschungsvorhaben NivLer am CiS Forschungsinstitut adressiert die Entwicklung eines Nachrüstsatzes zur nichtinvasiven Druckmessung in Prozessrohren, um zerstörungsfrei verschiedene Zustandsgrößen erfassen und digitalisieren zu können
Mit dem gestarteten Projekt „Piezo-junction-Effekt basierte on-chip Multi-Sensoren“ sollen im CiS Forschungsinstitut die Wirkungen von Umwelteinflüssen auf verschieden gestaltete pn-Übergänge bzw. komplexere bipolare laterale und vertikale on-chip-Siliziumstrukturen untersucht werden
Im erfolgreich abgeschlossenen Projekt DefEin wurden Dotiertechnologien entwickelt, die eine hohe Energieauflösung von aus Silizium bestehenden Strahlungssensoren ermöglichen, indem die hochdotierten Gebiete auf der Eintrittsseite der zu detektierenden Strahlung möglichst flach gehalten werden.
Am Mittwoch, den 15. Juni 2022 um 13:00 Uhr sind Prof. Thomas Ortlepp und Dr. Kevin Lauer Vortragende beim IMN-Kolloquium an der Technischen Universität in Ilmenau. Im Vortrag „Competence in Silicon – sensor technology and solid state analytics“ stellen sie einige ausgewählte Entwicklungsthemen sowie das breite Spektrum an Festkörperanalysemethoden vor
Auf Basis der etablierten 90°-Streulichtanordnung wird ein neuer optoelektronischer Partikelzähler für gastragende Teilchen bei großem Volumendurchsatz entwickelt. Demonstratoren werden für Anwendungen in Pharmalaboren getestet
Das CiS Forschungsinstitut ist Gründungsmitglied im Verband „Advanced UV for Life e.V.
Als Nachfolger des gleichnamigen BMBF-Konsortiums bündelt er die Kompetenzen aus Wirtschaft und Wissenschaft entlang der gesamten Wertschöpfungskette – vom Konzept über den UV-Halbleiter bis zu dessen Anwendung. In den neuen Vorstand wurde Dr. Olaf Brodersen, Senior Geschäftsfeldleiter MOEMS am CiS Forschungsinstitut, gewählt
Am 15.07.2021 wurde mit einem feierlichen Festakt das neue CiS Analytik Kompetenzzentrum durch Wirtschaftsminister Wolfgang Tiefensee eröffnet. Kernstück des Kompetenzzentrums ist ein hochauflösendes 3-dimensionales Sekundär-Ionen-Massenspektrometrie-System (SIMS Analyse Cluster), das als das modernste seiner Art im Umkreis von mehreren Hundert Kilometern gelten kann
Start für das Vorlaufforschungsprojekt „High-End Beschleunigungssensoren“(HEB) – Das Vorhaben zielt auf die Entwicklung eines CMOS-kompatiblen Fertigungsprozesses für hochauflösende kapazitive MEMS Beschleunigungssensoren mit einer Auflösung von 0,001⁰ zur kosteneffizienten Anwendung als Neigungssensor
In der chemischen Industrie, zum Beispiel bei der Herstellung von Batteriezellen ist eine genaue Temperaturmessung erforderlich. Dem CiS Forschungsinstitut gelang es in Rahmen des Projektes HotSens Temperaturdioden für den Hochtemperaturbereich bis maximal 300°C mit maximal einer Ein-Punkt-Kalibrierung herzustellen
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