Im Forschungsprojekt InOxA wurde der in der Silizium-Photovoltaik entwickelte TOPCon-Kontakt auf Sensordioden übertragen. Hierzu wurde auf das Grundmaterial ein dünnes Barriere-Oxid und hochdotiertes Polysilizium aufgebracht, so dass der Kontakt auch gleichzeitig der Passivierung der aktiven Fläche und des Substratkontakts dient
Piezo-junction Sensoren messen gleichzeitig Prozessparameter wie Druck, Temperatur und Vibration – ideal für Anwendung in den Bereichen Prozessmesstechnik, Kraftwerke, Öl und Gas, Luft und Raumfahrt. Im abgeschlossenen Forschungsprojekt PJS wurden verschiedene Einflussfaktoren und Abhängigkeiten für einen optimalen pn-Übergang untersucht
Eine Eigenschaft von siliziumbasierten Halbleiterwiderständen als Temperatursensoren ist die Beeinflussung des Widerstandes durch magnetische Felder. Das neue Forschungsprojekt CryoMAG-RX fokussiert auf die Realisierung eines einfach zu prozessierenden Temperatursensors auf Waferebene, wobei die Lage eines variabel einstellbaren Temperaturreferenzpunktes sowie die Kennlinienform durch ein konstant wirkendes Magnetfeld anwendungsorientiert oder messtechnisch günstig beeinflusst werden kann
Im neuen Forschungsprojekt oLGAD untersuchen wir Schichtsysteme zur Verbesserung der Perfomance von Detektoren, welche den Dunkelstrom verringern und die Empfindlichkeit für die Detektion niederenergetischer Elektronen erhöhen
Als Grundbaustein für siliziumbasierte Quantentechnologie werden aktuell Farbzentren wie das G- oder T-Zentrum in Silizium verwendet. Im Forschungsprojekt aQuSiS sollen erstmals Indium-basierte Akzeptor-Fehlstellen als leicht zugängliche Quantensysteme realisiert werden. Der Verständnisgewinn zum Aufbau sowie der Wirkungsweise dieses elementaren Quantenbausteins kann perspektivisch als Grundlage für eine fortgeführte Integration in moderne Quantentechnologien dienen
Das aktuelle Forschungsprojekt Machine Learning Elektromigrationsparameter (MEL) soll die Grundlagen für neue Softwaretools zur Bestimmung und Optimierung von Materialen in Bezug auf Elektromigration schaffen.
Dieser Effekt limitiert Lebensdauer und Langzeitstabilität von Halbleiterbauelementen in der Mikrosensorik, Leistungselektronik und integrierten Schaltungen. Ein besseres Verständnis der physikalisch-chemischen Prozesse ebnet den Weg zu neuen, verbesserten Entwicklungen
In der ersten Märzhälfte veranstaltet die Deutsche Physikalische Gesellschaft ihre jährlichen Frühjahrtagungen in Mainz, Dresden und Erlangen. Das CiS Forschungsinstitut stellt an der Johannes-Gutenberg-Universität in Mainz sowie der Technischen Universität Dresden aktuelle Entwicklungsergebnisse aus den Bereichen defektbasierter Lichtemitter in dotiertem Silizium, systematische Vergleiche von NV-Diamantmaterialien, Qubits in der siliziumbasierten Quantentechnologie oder auch Elektromigrationsexperimente in Vorträgen und Postern vor
VACOM gewinnt den Thüringer Innovationspreis 2025 und setzt mit seinem neuen miniaturisierten Vakuumsensor CASSINI neue technologische Maßstäbe. Die wissenschaftlich-technologische Grundlage zum mikroelektromechanischen System (MEMS) wurde in gemeinsamen Forschungsprojekten mit dem CiS Forschungsinstitut gelegt
Parallel zur Messe Sensor+Test in Nürnberg vom 06.05.-08.05.2025 findet die 3. Sensor and Measurement Science International (SMSI) Konferenz im KongressCenter Nürnberg statt. Das CiS Forschungsinstitut ist mit 9 wissenschaftlichen Beiträgen vertreten.
Im Projekt PoRr entwickelte ein Wissenschaftsteam des CiS Forschungsinstitutes Photodioden mit deutlich reduzierter Rückreflexion. Mittels spezieller Oberflächenstrukturierung werden die Reflexionen um 15% herabgesetzt. Eigens entwickelte Messplätze ermöglichen die Erfassung der Anteile der Gesamtreflexion bei verschiedenen Wellenlängen sowie die Erfassung der Winkelverteilung des reflektierten Lichtes bei verschiedenen Einfallswinkeln
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