Der Piezo-junction-Effekt wurde 1951 von Hall, Bardeen und Pearson entdeckt und beruht auf der Wirkung von mechanisch in einen Siliziumkristall eingebrachten Stress auf die Ladungsträger. Er wird auch durch eine Änderung der Leitfähigkeit (resultierend aus einer Änderung der effektiven Masse und der Beweglichkeit) verursacht, jedoch nur durch die Minioritätsladungsträger. Der Piezo-junction-Effekt ist verantwortlich für Ungenauigkeiten und Drift in integrierten Temperatursensoren und Bandgap-Spannungsreferenzen.
Mit dem Projekt „Piezo-junction-Effekt basierte on-chip Multi-Sensoren“ sollen im CiS Forschungsinstitut die Wirkungen von Umwelteinflüssen auf verschieden gestaltete pn-Übergänge bzw. komplexere bipolare laterale und vertikale on-chip-Siliziumstrukturen untersucht werden.
Dabei sollen Möglichkeiten zur Detektion mehrerer dieser Einflüsse mittels unterschiedlicher Kombinationen von Halbleiterfertigungsprozessen („Technologie“) und lateralen bipolaren Komponenten („Layout“) ermittelt werden. Zur besseren Separation verschiedener Effekte werden die Haupt- und die Querempfindlichkeiten analysiert.
Die beschriebenen Forschungs- und Entwicklungsarbeiten wurden im Forschungsprojekt „Piezo-junction-Effekt basierte on-chip Multi-Sensoren (PJS)“ durch das Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK) gefördert.
Förderkennzeichen: 49MV220217
