Im Projekt OTB verfolgten die Wissenschaftler des CiS Forschungsinstituts das Ziel, für hochstabile und hochgenaue piezoresistive Widerstandsbrücken, die aus in einkristallinem Silizium implantierten Widerstandsbahnen mit einem hohen Temperaturkoeffizienten bestehen, die Querempfindlichkeit zu verringern bzw. zu optimieren
Das neu gestartete Forschungsprojekt NO-TICE am CiS Forschungsinstitut beinhaltet die Untersuchung zur Kompensation des Temperatureinflusses, insbesondere auf dem Nullpunkt des Rohsignals bei Sensoren mit einer sehr geringen Querdehnungsempfindlichkeit, um einen hohen Kalibieraufwand zu minimieren und damit die Ressourcen Kosten, Zeit sowie Material zu schonen
Das gestartete Forschungsprojekt UDM zielt auf die Entwicklung und Prototypen-Fertigung von piezoresistiven Absolut-Drucksensoren mit ultrakleinen Abmessungen, aber dennoch sehr hohen Empfindlichkeiten auf der Basis von einkristallinen MSTS-Membranen
Im gestarteten Forschungsvorhaben BerNieDru soll ein piezoresistiver Drucksensor für den Druckbereich bis 2 mbar entwickelt werden, der durch eine Anpassung der Membrangeometrie bis zu einem Berstdruck von mindestens einem 1 bar belastbar ist
Im neu gestarteten Projekt M2NL analysiert ein Entwicklungsteam am CiS Forschungsinstitut Messdaten unterschiedlicher piezoresistiver Drucksensoren und möchte aus den Analyseergebnissen auf mechanische Parameter und deren Temperaturabhängigkeit zurückrechnen. Dabei sollen nichtlineare Effekte und deren Einfluss in der Simulation mit dem FEM-Tool ANSYS Multiphysics untersucht werden
Für die Entwicklung von piezoresistiven Drucksensoren können verschiedene Simulationsmethoden eingesetzt werden. Ziel des gestarteten Forschungsprojekts mMoDS ist es, das Systemmodell durch modulare Teilmodelle zu beschreiben, um einen effizienten Designprozess unter Einbezug von verschiedenen Aufbau-Varianten sowie technologischen Varianten zu ermöglichen und so die Anzahl von detaillierten, rechenintensiven FEM-Simulationen zu reduzieren
Während der nächste Woche startenden Hannover Messe stellt das CiS Forschungsinstitut auf dem Thüringer Gemeinschaftsstand in Halle 3, Stand D76 einen galvanisch getrennten Inkrementalsensor vor. Im Rahmen des Förderprojektes GalGiS wurden neue Siliziumtechnologien entwickelt, um eine solche galvanische Trennung bereits auf Chipebene zu erreichen
Mit dem Vorhaben MinerVa startet das CiS Forschungsinstitut die Entwicklung eines MEMS-Pirani-Sensors für Druckmessung im Fein-Hochvakuumbereich. Die Anwendungsmöglichkeiten sind vielseitig, beispielsweise bei der Herstellung dünner funktionaler Schichten mittels physikalischer Dampfphasenabscheidung (PVD)
Am CiS Forschungsinstitut wurden in Kooperation mit Partnern aus der Industrie und Wissenschaft Drucksensoren auf der Basis von NV-Zentren in Diamant mit industriellen Fertigungsmethoden hergestellt. Die Ergebnisse aus dem Forschungsprojekt Qind werden im Rahmen des 28. Hasselt Diamond Workshop SBDD präsentiert
Um die Performance von piezoresistiven Drucksensoren zu verbessern, wurden im abgeschlossenen Forschungsprojekt EFAH verschiedene Fügetechnologien entwickelt, die besonders die kritischen Verbindungen zwischen Wandlerkern und elektrisch-mechanischem Prozessanschluss betrachten. Hierbei zeigten Glaslote deutliche Vorteile
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