Barometrischer MEMS Drucksensor für Bio- und Medizintechnik
Zur Sensor+Test 2017 stellt das CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik hochstabile, medienbeständige barometrische Drucksensoren in MEMS-Technologie vor
Synthetische Diamantschichten in der Mikrosystemtechnik
/in Druck, MEMS, QuantenSynthetische Diamantschichten können im Industriemaßstab CMOS-kompatibel gefertigt werden. Die Herstellungs- und Bearbeitungskosten sind vergleichbar mit denen anderer Technologien, wie z.B. Passivierung oder Kontaktierung. Um Diamantschichten als passive sowie aktive Funktionsschicht in Sensoren zu implementieren und eine Bewertung der industriellen Anwendbarkeit vorzunehmen, widmet sich das CiS Forschungsinstitut in aktuellen FuE-Vorhaben der Druckmessung in aggressiven Arbeitsumgebungen und dem Intelligenten Wärmemanagement
Silizium-Dehnmessstreifen
/in AVT, Druck, Kraft, Medizintechnik, MEMS, MesstechnikFür Präzisionskraftmessungen hat das CiS Forschungsinstitut aus Erfurt miniaturisierte Silizium-Dehnmessstreifen (Si-DMS) mit integrierter Messbrücke entwickelt. Die piezoresistiven Widerstände sind monolithisch in einkristallinem Silizium integriert (K-Faktor = 80) und liegen als Doppel-Dehnungselement und als Vollbrücke vor
MEMS-Design für hochstabile und hochgenaue Drucksensoren CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik kooperiert mit der TU Hamburg-Harburg
/in Druck, MEMSForscher und Entwickler beider Einrichtungen bearbeiten gemeinsam ein Projekt, um mit einer multiphysikalischen Simulation eine größere Sicherheit bei der Entwicklung und Fertigung von anwendungsspezifischen piezoresistiven Drucksensoren zu erreichen
Europäisches Netzwerk SMARTER-SI unterstützt Unternehmen bei der Fertigung smarter Systeme
/in Druck, Medizintechnik, MEMS, Messtechnik, MOEMSDas Projekt SMARTER-SI bietet europaweit eine neuartige Fertigungsplattform an, auf der innovative und intelligente Sensorkomponenten und Mikrosysteme in kleinen und mittleren Stückzahlen kostengünstig gefertigt werden können. Rund 5,3 Millionen Euro Fördermittel fließen bis 2018 in den Aufbau und die Erprobung dieser Plattform
Halbleiterkomplexmessplatz
/in Druck, MesstechnikMit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar
Halbleiterkomplexmessplatz
/in Druck, MesstechnikMit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar
Piezoresistive Hochtemperatur-Druckwandlerkerne
/in AVT, Druck, MEMSDie hochpräzise Prozessmesstechnik steht mit Einsatztemperaturen von bis zu 300°C vor neuen Herausforderungen. Anlagen- und Messtechnikproduzenten wollen mit MEMS-basierten Druckwandlerkernen Funktionserweiterungen und neue Gestaltungsräume erschließen.
Die passenenden Mikrosystemtechnologien dazu hat jetzt das CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik aus Erfurt entwickelt
Halbleiterkomplexmessplatz
/in Druck, MesstechnikMit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar
Piezoresistive Hochtemperatur-Druckwandlerkerne
/in AVT, Druck, MEMS, MesstechnikDas Projekt HotDru befasst sich mit der Entwicklung serienfertigungstauglicher Hochtemperaturdrucksensorsysteme mit einer Einsatztemperatur von bis zu 300°C. Die neu entwickelten Drucksensorchips werden in verschiedenen Versionen realisiert, die als Grundaufbau alle auf dem „Silicon on Insulator“ (SOI)-Prinzip beruhen