Im abgeschlossenen Forschungsprojekt miniOffset wurde mittels einer neuen skalierbaren Technologieplattform die Sensor-Performance, vor allem der Null-Offset und seine Temperaturabhängigkeit bereits auf Wafer-Level bzw. Chip-Level minimiert. Dazu können kostengünstige CMOS/MEMS-kompatible Materialen und Prozesse angewandt werden
Piezo-junction Sensoren messen gleichzeitig Prozessparameter wie Druck, Temperatur und Vibration – ideal für Anwendung in den Bereichen Prozessmesstechnik, Kraftwerke, Öl und Gas, Luft und Raumfahrt. Im abgeschlossenen Forschungsprojekt PJS wurden verschiedene Einflussfaktoren und Abhängigkeiten für einen optimalen pn-Übergang untersucht
Eine Eigenschaft von siliziumbasierten Halbleiterwiderständen als Temperatursensoren ist die Beeinflussung des Widerstandes durch magnetische Felder. Das neue Forschungsprojekt CryoMAG-RX fokussiert auf die Realisierung eines einfach zu prozessierenden Temperatursensors auf Waferebene, wobei die Lage eines variabel einstellbaren Temperaturreferenzpunktes sowie die Kennlinienform durch ein konstant wirkendes Magnetfeld anwendungsorientiert oder messtechnisch günstig beeinflusst werden kann
Siliziumdehnmessstreifen (Si-DMS) bieten zahlreiche hervorragende Eigenschaften. Um die Temperaturbeeinflussung zu verringern oder zu kompensieren wurden auf dem gleichen Chip auch Temperaturmesswider-stände, Temperaturdioden sowie bipolare Transistoren integriert. Mit den on-chip pnp-Transistoren konnten temperaturkompensierte Sensoraufbauten realisiert werden
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