Anspruchsvolle AVT für Time-of-Flight Kamera-Module, doppelseitige Mikrostreifen-Detektoren und weitere aktuelle Entwicklungsergebnisse zeigt das CiS auf der HMI 2019 im Doppelpack: am Thüringen Gemeinschaftsstand der LEG in Halle 4, Stand F34 und am Stand des Forschungs- und Technologieverbund Thüringen e.V. (FTVT) in Halle 2, Stand A27
Auf der Sensor+Test 2018 in Nürnberg zeigt das CiS Forschungsinstitut ein serienfertigungstaugliches Hochtemperaturdrucksensorsystem mit einer Einsatztemperatur von bis zu 300°C.
Ein gutes Feedback und hohes Interesse erzeugte unsere Ausstellung auf dem Innovationstag des Mittelstandes des BMWi am 7. Juni 2018 in Berlin. Hier stellte unser Forschungsinstitut das INNO-KOM-Projekt „Wafer Level Packaged Pressure Sensor With Through Silicon Vias“ vor.
Mit der wiederholten Teilnahme als Aussteller auf dem Gemeinschafstand der Thüringer Landesentwicklungsgesellschaft konnte das CiS Forschungsinstitut durchweg positives Feedback in zahlreichen Gesprächen mit Interessenten aus Industrie und Mittelstand verzeichnen
Piezoresistive Drucksensorchips aus dem CiS werden dort eingesetzt, wo hohe Präzision, Stabilität und Zuverlässigkeit gefordert werden. Das gleiche Sensorprinzip wird nun auch zur Kraftmessung in Silizium-Dehnmessstreifen genutzt. Die dehnungsempfindlichen Widerstände werden dabei als Wheatstonesche Messbrücke in hauchdünne Chips monolithisch integriert
Zur Sensor+Test 2017 stellt das CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik hochstabile, medienbeständige barometrische Drucksensoren in MEMS-Technologie vor
Synthetische Diamantschichten können im Industriemaßstab CMOS-kompatibel gefertigt werden. Die Herstellungs- und Bearbeitungskosten sind vergleichbar mit denen anderer Technologien, wie z.B. Passivierung oder Kontaktierung. Um Diamantschichten als passive sowie aktive Funktionsschicht in Sensoren zu implementieren und eine Bewertung der industriellen Anwendbarkeit vorzunehmen, widmet sich das CiS Forschungsinstitut in aktuellen FuE-Vorhaben der Druckmessung in aggressiven Arbeitsumgebungen und dem Intelligenten Wärmemanagement
Für Präzisionskraftmessungen hat das CiS Forschungsinstitut aus Erfurt miniaturisierte Silizium-Dehnmessstreifen (Si-DMS) mit integrierter Messbrücke entwickelt. Die piezoresistiven Widerstände sind monolithisch in einkristallinem Silizium integriert (K-Faktor = 80) und liegen als Doppel-Dehnungselement und als Vollbrücke vor
Forscher und Entwickler beider Einrichtungen bearbeiten gemeinsam ein Projekt, um mit einer multiphysikalischen Simulation eine größere Sicherheit bei der Entwicklung und Fertigung von anwendungsspezifischen piezoresistiven Drucksensoren zu erreichen
Das Projekt SMARTER-SI bietet europaweit eine neuartige Fertigungsplattform an, auf der innovative und intelligente Sensorkomponenten und Mikrosysteme in kleinen und mittleren Stückzahlen kostengünstig gefertigt werden können. Rund 5,3 Millionen Euro Fördermittel fließen bis 2018 in den Aufbau und die Erprobung dieser Plattform
Konrad-Zuse-Str. 14
99099 Erfurt
Deutschland
Tel.: +49 361 663 1410
E-Mail: info@cismst.de
