Vom 9. bis 11. Juni 2026 ist das CiS Forschungsinstitut erneut beim internationalen Treffpunkt für Sensorik, Mess- und Prüftechnik in Nürnberg als Aussteller dabei. Auf der SENSOR+TEST 2026 können interessierte Besucher in Halle 1 am Stand 501 unsere Experten treffen und neuste Forschungsergebnisse der siliziumbasierten Mikrosensorik diskutieren.
Auf der 23. ITG/GMA-Fachtagung „Sensoren und Messsysteme 2026“, der wissenschaftlichen Begleitkonferenz im Nürnberg Convention Center West (NCC West), ist das CiS Forschungsinstitut mit vier wissenschaftlichen Beiträgen vertreten:
Cathleen Kleinholz referiert am 9. Juni 2026 im Rahmen der Session „Kraft-, Drehmoment-, und Druck“ über die Integration siliziumbasierter Dehnmessstreifen in Keramik zur Realisierung von Nass-Nass Differenzdrucksensoren.
Dr. Heike Wünscher stellt während der Poster-Session am Abend ein photoakustisches Messsystem für die Bestimmung des Restammoniakgehalt im Gas am Ausgang eines Crackers im Durchfluss vor. Die neue Messplattform basiert auf innovativen thermischen Emittern und arbeitet ohne Chopper und wurde im Forschungsprojekt NH3-BZ entwickelt.
Dr. Thomas Frank hält am 10. Juni 2026 in der Session „Mechanische Größen“ zwei Vorträge: zunächst erläutert er flexible Lösung für Industrie und Infrastruktur durch Strukturmonitoring mit passivem RFID-Dehnungssensoren und anschließend präsentiert er die Entwicklung eines medienresistenten Absolutdrucksensors ohne Ölfüllung und mit frontbündigem Medienkontakt.
Die Sensor+Test ist die zentrale Plattform für innovative Sensorik und Messtechnik Wissenschaft, technologische Innovationen und industrielle Praxis. Wir freuen uns auf einen spannenden Austausch und begrüßen Sie herzlich auf unserem Messestand 501 in Halle 1 oder während unserer wissenschaftlichen Beiträge im NCC West.
Unsere Messehighlights am Stand 501 in Halle 1:
Technologie-Plattform mit minimalem Offset (miniOffset)
Im Projekt miniOffset konnte eine skalierbare piezoresistive MEMS-Technologieplattform für hochpräzise und zugleich kostengünstige Sensoren entwickelt werden. Die Plattform basiert auf mikromechanisch gefertigten Strukturen mit dünner Membran. Ziel war die Reduktion des Null Offset und seiner Temperaturabhängigkeit auf Wafer- und Chip Ebene. Durch Optimierung der Struktur- und Prozessparameter wurden Offsetwerte von ±1 mV/V erreicht. Für Chips mit größeren Abweichungen wurden zusätzlich Kompensationsstrukturen eingesetzt. Demonstriert wird ein Differenzdrucksensor im Nieder- bis Mitteldruckbereich mit Empfindlichkeiten von über >2 mV/V/kPa.
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Low Gain Avalanche Detektoren für 1keV Elektronen (eLGAD)
Halbleiterdetektoren für Elektronenstrahlung werden in verschiedenen Anwendungen in Forschung, Medizintechnik, Industrie und Sicherheitstechnik verwendet. Insbesondere die Messung von nieder-energetischen Elektronenstrahlen (< 1keV) stellt dabei eine sensorische Herausforderung dar, da diese nur sehr geringe Eindringtiefen in das Detektormaterial aufweisen. Der Sensor muss darum extrem oberflächensensitiv sein, was innovative Technologien erfordert. Die im Projekt eLGAD realisierten Demonstratoren stehen für Anwender und Transferunternehmen zur Bemusterung zur Verfügung.
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Kosteneffiziente Hausung für IR-Emitter (KHIS)
Im Projekt KHIS wurde eine skalierbare Gehäuseplattform für MEMS basierte IR Strahler mit SMD-kompatiblem Package auf konventionellem FR 4- Leiterkartenmaterial bzw. keramischem LTCC Material entwickelt. Es lässt sich individuell an jede Strahlergröße anpassen und senkt die Weiterverarbeitungskosten dank SMD-Technologie und verkleinerter und kostengünstigerer Fenster- und Filterflächen. Besonders im mittleren IR-Bereich profitieren Anwender von einem kompakteren, kostengünstigeren optischen Fenster/Filter.
Dieses neuartige Emitter Design, dank Flip-Chip-Aufbau, verdoppelt die Strahlungsleistung oberhalb von 6 µm – ein entscheidender Fortschritt für die „Fingerprint Analyse“ vieler organischer Gase und Flüssigkeiten. Das Package erfüllt sämtliche Anforderungen: Dichtheit, Filter, Wärmeableitung und einfache Integration in Schaltungen und Sensorsysteme.
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Hochdrucksensor mit frontbündigen Medienanschluss (DS300MPa)
Für Anwendungen über 70 MPa wird vorwiegend Dünnschichttechnik auf Stahl genutzt. Sensoren mit frontbündigem Medienanschluss sind mit dieser Technologie nur mit großem Aufwand realisierbar. Eine neue Technologieentwicklung im Projekt DS300MPa ermöglicht eine strikte Trennung zur elektrischen Seite und erlaubt kundenspezifische Anpassungen.
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Hybrid integrierte optische Sensoren auf Basis vorstrukturierter Adhäsivschichten (Hivos)
Im Projekt Hivos wurde das Zusammenspiel verschiedener, vorstrukturierter Adhäsivschichten in Kombination mit hochpräzisen Fügetechnologien und automatisierter Montageprozesse für die Hybridmontage komplexer optoelektronischer Mikrosysteme untersucht. Neu entwickelte Automatisierungslösungen erlauben nun die vollständige automatische Montage von Baugruppen auf Wafer- bzw. Nutzenlevel und verringern somit wesentlich die Prozesszeiten.
Drucksensor für Ultra-Höchstdruckanwendungen (DSNemo)
Traditionell verwenden Drucksensoren eine Biegeplatte zur Vergrößerung der Empfindlichkeit. Für Ultra-Höchstdruckanwendungen ist eine Biegeplatte nicht notwendig und der Aufbau so wesentlich verkleinert. Die neue Technologieplattform bietet viele Potential, unter anderem eine Frontplatte mit Durchmesser von 1 mm, Druckbereich bis ca. 20.000 bar, Messspanne von > 20 mV/V, maximale Einsatztemperatur von 200 °C.
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Die beschriebenen Forschungs- und Entwicklungsarbeiten wurden in den folgenden Forschungsprojekten durch das Bundesministerium für Wirtschaft und Energie (BMWE) gefördert:
Technologie-Plattform mit minimalem Offset (miniOffset), FKZ: 49MF220087
Low Gain Avalanche Detektoren für 1keV Elektronen (eLGAD), FKZ: 49MF220095
Kosteneffiziente Hausung für IR-Emitter (KHIS), FKZ: 49MF220218
Hochdrucksensor mit frontbündigen Medienanschluss (DS300MPa), FKZ: 49MF220019
Hybrid integrierte optische Sensoren auf Basis vorstrukturierter Adhäsivschichten (Hivos), FKZ: 49MV220228
Drucksensor für Ultra-Höchstdruckanwendungen (DS-NEMO), FKZ: 49MF220036
