eLGAD – CiS

Siliziumbasierte Mikrosensorik in Nürnberg auf der SENSOR+TEST

3. Juni 2026/in MEMS, MOEMS, Veranstaltungen

Vom 9. bis 11. Juni 2026 ist das CiS Forschungsinstitut erneut beim internationalen Treffpunkt für Sensorik, Mess- und Prüftechnik in Nürnberg als Aussteller dabei. Auf der SENSOR+TEST 2026 können interessierte Besucher in Halle 1 am Stand 501 auch in diesem Jahr unsere Experten treffen und neuste Forschungsergebnisse der siliziumbasierten Mikrosensorik diskutieren.
Auf der 23. ITG/GMA-Fachtagung „Sensoren und Messsysteme 2026“, der wissenschaftlichen Begleitkonferenz im Nürnberg Convention Center West (NCC West), ist das CiS Forschungsinstitut mit vier wissenschaftlichen Beiträgen vertreten

Vortrag auf dem 21st „Trento“ Workshop on Advanced Silicon Radiation Detectors

12. Februar 2026/in MEMS, Quanten, Veranstaltungen

Vom 17. bis 19. Februar 2026 findet der 21st „Trento“ Workshop on Advanced Silicon Radiation Detectors in Perugia, Italien statt. Das CiS Forschungsinstitut ist dort mit einem Beitrag zur Verbesserung von Low Gain Avalanche Detektoren (LGAD) hinsichtlich der Empfindlichkeit für niederenergetische Elektronen vertreten

CiS Forschungsinstitut auf der COMPAMED 2025

17. November 2025/in Druck, IR, Kraft, Veranstaltungen

Heute startet in Düsseldorf die COMPAMED, eine internationale Leitmesse für den medizinischen Zuliefererbereich. Das CiS Forschungsinstitut ist im Rahmen des Gemeinschaftsstand des IVAM in Halle 8a, Stand F35-2 vertreten. Noch bis Donnerstag, den 20. November 2025 kommen Fachleute für den medizinischen Zulieferbereich zusammen, um Bauteile, Komponenten für medizinische Geräte, Ausrüstungen zu präsentieren und High-Tech Lösungen zu diskutieren.

CiS Forschungsinstitut auf der DPG-Frühjahrstagung in Regensburg

10. März 2025/in Veranstaltungen

Am 17. März 2025 erörtet Dr. Kevin Lauer in seinem Vortrag das Thema „Impact of a magnetic field on low-temperature photoluminescence of indium-doped silicon“. Sein Beitrag lädt zur Diskussion über das Leuchten der Akzeptor-interstitiellen Siliziumdefekte (ASi-Sii) ein

Defektmechanismen in Silizium – Vier Beiträge auf der GADEST 2024

4. September 2024/in MOEMS, Quanten, Veranstaltungen

Vom 8. bis 13. September 2024 findet die internationale Konferenzreihe GADEST (Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology) in Bad Schandau statt. Das CiS Forschungsinstitut berichtet gemeinsam mit Forschungspartnern in vier Beiträgen über Defektmechanismen in Silizium bei unterschiedlichen Dotierungen