Für Einsatztemperaturen bis etwa 300°C sind die neu konzipierten piezoresistiven Drucksensorchips mit analoger integrierter Temperaturkompensation geeignet. Basis ist eine intelligente Verschaltung der Messbrücke mit passiven Bauelementen
Kommende Woche starten die Messe SENSOR+TEST 2021 sowie der begleitende internationale Fachkongress SMSI 2021. Beide Veranstaltungen finden online statt und das CiS Forschungsinstitut ist mit einer digitalen Präsenz und einem Vortrag vertreten. Sichern Sie sich Ihr kostenfreies Online-Ticket
In dieser Woche präsentieren wir auf der HM21 Digital Edition aktuelle Forschungsthemen und Projektergebnisse in der Entwicklung siliziumbasierter MEMS- und MOEMS-Sensorkonzepte
Als Spezialist für die Entwicklung siliziumbasierter Drucksensoren entwickelt und testet das CiS Forschungsinstitut im Projekt H2MEMS mit den Partnern Palladium-beschichtete MEMS-Strukturen. Die Volumenausdehnung von Palladium bei der Wasserstoffeinlagerung wird dabei als Messprinzip erprobt
Der direkte Medienkontakt ist für siliziumbasierte Mikrosensoren aufwendig umzusetzen. Um die Miniaturisierung vollständig auszunutzen, wird der Korrosionsschutz auf Chipebene aufgebracht. Damit wird eine Anwendung in anspruchsvolleren Umgebungen auch ohne zusätzliche Schutzkonstruktionen möglich
Harsche Umgebungsbedingen erfordern robuste und stabile Drucksensoren. Mit der Neu- und Weiterentwicklung von Wafer-Level-Packaging-Technologien werden die Performance gesteigert, Einsatzbereiche erweitert und Herstellkosten gesenkt. Das Ergebnis ist als Patent angemeldet
Die Teilnehmer des CiS MEMS-Workshops zum Thema Drucksensorik diskutierten online über die Entwicklung von Sensorelementen, deren Montage, Prüfmethoden und Anwendungen. Innovative AVT, insbeondere Waferbondverfahren bildeten diesmal einen Schwerpunkt
Simultane Messung von Differenzdruck und Prozessdruck – Der vom CiS verfolgte Ansatz nutzt miniaturisierte Drucksensoren, die mittels Flip-Chip-Technologien auf den Trägermaterialien wie Silizium oder Keramik aufgebracht werden können. Mittels angepasster Passivierungsverfahren (ALD, Parylene u.a.) sind die Drucksensoren in ihrer Ausführung medienresistent verfügbar
Für seine Dissertation „Prozess- und Sensorentwicklung für fertigungsgerechte hochtemperaturtaugliche Drucksensorsysteme auf Siliziumbasis“ wurde unser Mitarbeiter Dr. Robert Täschner mit dem Silicon Science Award ausgezeichnet. Der CiS e.V. vergibt diesen Award für herausragende wissenschaftliche Leistungen auf dem Gebieten der Mikrosystemtechnik
Zur Umsetzung der Nationalen Wasserstoffstrategie ist das CiS Forschungsinstitut Partner in zwei Forschungsprojekten. Das Konsortium HYPOS entwickelt Lösungen für die gesamte Wertschöpfungskette und breite Anwendung von grünem Wasserstoff in vielen Branchen
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