Am Mittwoch, den 15. Juni 2022 um 13:00 Uhr sind Prof. Thomas Ortlepp und Dr. Kevin Lauer Vortragende beim IMN-Kolloquium an der Technischen Universität in Ilmenau. Im Vortrag „Competence in Silicon – sensor technology and solid state analytics“ stellen sie einige ausgewählte Entwicklungsthemen sowie das breite Spektrum an Festkörperanalysemethoden vor
Auf Basis der etablierten 90°-Streulichtanordnung wird ein neuer optoelektronischer Partikelzähler für gastragende Teilchen bei großem Volumendurchsatz entwickelt. Demonstratoren werden für Anwendungen in Pharmalaboren getestet
Das CiS Forschungsinstitut ist Gründungsmitglied im Verband „Advanced UV for Life e.V.
Als Nachfolger des gleichnamigen BMBF-Konsortiums bündelt er die Kompetenzen aus Wirtschaft und Wissenschaft entlang der gesamten Wertschöpfungskette – vom Konzept über den UV-Halbleiter bis zu dessen Anwendung. In den neuen Vorstand wurde Dr. Olaf Brodersen, Senior Geschäftsfeldleiter MOEMS am CiS Forschungsinstitut, gewählt
Am 15.07.2021 wurde mit einem feierlichen Festakt das neue CiS Analytik Kompetenzzentrum durch Wirtschaftsminister Wolfgang Tiefensee eröffnet. Kernstück des Kompetenzzentrums ist ein hochauflösendes 3-dimensionales Sekundär-Ionen-Massenspektrometrie-System (SIMS Analyse Cluster), das als das modernste seiner Art im Umkreis von mehreren Hundert Kilometern gelten kann
Start für das Vorlaufforschungsprojekt „High-End Beschleunigungssensoren“(HEB) – Das Vorhaben zielt auf die Entwicklung eines CMOS-kompatiblen Fertigungsprozesses für hochauflösende kapazitive MEMS Beschleunigungssensoren mit einer Auflösung von 0,001⁰ zur kosteneffizienten Anwendung als Neigungssensor
In der chemischen Industrie, zum Beispiel bei der Herstellung von Batteriezellen ist eine genaue Temperaturmessung erforderlich. Dem CiS Forschungsinstitut gelang es in Rahmen des Projektes HotSens Temperaturdioden für den Hochtemperaturbereich bis maximal 300°C mit maximal einer Ein-Punkt-Kalibrierung herzustellen
Vom 28. bis 30. Oktober 2019 präsentieren Mitarbeiter des CiS Forschungsinstituts in drei der angebotenen Sessions aktuelle Entwicklungsergebnisse zu optischen Mikrosystemen, Aufbau- und Verbindungstechnik sowie Messtechnik
Mit der wiederholten Teilnahme als Aussteller auf dem Gemeinschafstand der Thüringer Landesentwicklungsgesellschaft konnte das CiS Forschungsinstitut durchweg positives Feedback in zahlreichen Gesprächen mit Interessenten aus Industrie und Mittelstand verzeichnen
Piezoresistive Drucksensorchips aus dem CiS werden dort eingesetzt, wo hohe Präzision, Stabilität und Zuverlässigkeit gefordert werden. Das gleiche Sensorprinzip wird nun auch zur Kraftmessung in Silizium-Dehnmessstreifen genutzt. Die dehnungsempfindlichen Widerstände werden dabei als Wheatstonesche Messbrücke in hauchdünne Chips monolithisch integriert
Für Präzisionskraftmessungen hat das CiS Forschungsinstitut aus Erfurt miniaturisierte Silizium-Dehnmessstreifen (Si-DMS) mit integrierter Messbrücke entwickelt. Die piezoresistiven Widerstände sind monolithisch in einkristallinem Silizium integriert (K-Faktor = 80) und liegen als Doppel-Dehnungselement und als Vollbrücke vor
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