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Elektromigrationseffekte auf der ESREF in Wien

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Auf der internationalen ESREF-Konferenz in Wien dreht sich alles um Zuverlässigkeit sowie Fehleranalytik von Bauelementen in der Mikro-, Nano- und Optoelektronik. Am 24. September 2026 stellt Julia Baldauf Wissenschaftlerin am CiS Forschungsinstitut, Ergebnisse des Forschungsprojekts DotIR vor. Geeignete Dotierungen in MoSi2 sollen Elektromigrationseffekte verringern und die Lebensdauer erhöhen

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Dotierung von MoSi2-Widerstandsheizerschichten für die Verbesserung der Lebensdauer durch Verringerung der Elektromigration in Infrarotemittern (DotIR)

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Ziel des neuen Forschungsvorhabens DotIR ist es, mit einer Dotierung des MoSi2 eine Verringerung der Elektromigration für eine Verbesserung der Lebensdauer von Infrarotemittern zu erreichen. Darüber hinaus wird untersucht, ob durch eine Dotierung die Emissivität im infraroten Spektralbereich erhöht werden kann

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