Projektabschluss Inkjet Printing galvanisch verstärkter Infrarot-Emitter
Im abgeschlossenen Forschungsvorhaben IJP-IR wurden alternative Prozesse auf Basis der Inkjet-Technologie und galvanischer Abscheidung für die Herstellung von IR-Emittern untersucht. Der neue Prozess reduziert Lithographie- und Hochvakuum-Schritte auf ein Minimum und erweitert die Materialauswahl für CMOS-kompatible Systeme
Neue Montagetechnologien von IR-Komponenten auf Basis polymerfreier Fügetechnologien
Das neue ZIM-Projekt IR-Batch legt den Fokus auf die Entwicklung neuer Montagetechnologien von Infrarot- Komponenten auf Basis polymerfreier Fügetechnologien für den Einsatz bei hohen Temperaturen und extremen Umgebungsbedingungen. Das CiS Forschungsinstitut ist für die Technologienentwicklung verantwortlich
Entwicklung eines Hochdrucksensors bis 300 MPa mit frontbündigem Medienanschluss
Mit der erfolgreichen Entwicklung eines siliziumbasierten Hochdrucksensors mit frontbündigem Medienkontakt für einen Messbereich bis 300 MPa wurde das ambitionierte Ziel des Forschungsprojekts erreicht. Gerade der frontbündige Medienanschluss macht den Sensor ideal für sensible Bereiche mit strengen Hygienebestimmungen, etwa in der Lebensmittelindustrie oder Pharmazie
Projektabschluss FIRE: Flinke Infrarot-Emitter als monolithisch integrierte Arrays
Von der zentralen Idee, mehrere kleine und damit schnelle aktive Flächen in einem Chip zu integrieren, konnten anfangs durch hybride Integration von einzelnen, sehr kleinen (1×1 mm²) Chips schließlich in Varianten von monolithisch integrierten Arrays überführt werden
Projektstart Thermistor-HFS – Entwicklung eines neuartigen Wärmeflusssensors
Das neue Forschungsvorhaben Thermistor-HFS zielt auf die Entwicklung und Herstellung eines neuartigen Wärmeflusssensors, der auf einem grundsätzlich anderen technologischen Ansatz als bereits auf dem Markt befindlichen Lösungen verfolgt
Projektabschluss Optimization of Thermal Behavior (OTB)
Im Projekt OTB verfolgten die Wissenschaftler des CiS Forschungsinstituts das Ziel, für hochstabile und hochgenaue piezoresistive Widerstandsbrücken, die aus in einkristallinem Silizium implantierten Widerstandsbahnen mit einem hohen Temperaturkoeffizienten bestehen, die Querempfindlichkeit zu verringern bzw. zu optimieren
Aufgewundenes Licht bei Fotowettbewerb prämiert
Mit dem Foto „Aufgewundenes Licht“, gewinnt unser Mitarbeiter Bernd Sprenger den 3. Platz im diesjährigen Fotowettbewerb „NanObjectives 5.0“. Sein Foto, aufgenommen mit einem Rasterelektronenmikroskop und 100facher Vergrößerung, zeigt einen gewendelter Glühfaden in einer haushaltsüblichen Glühlampe. Wir gratulieren unserem Mitarbeiter Bernd Sprenger ganz herzlich zu seinem Erfolg
Internationale Fachkonferenz zu supraleitender Elektronik und Quantentechnologien gastiert in Erfurt
Mit der International Superconductive Electronics Conference (ISEC) startete am Montag die alle zwei Jahre stattfindende wissenschaftliche Konferenz in Erfurt, welche weltweite Experten auf dem Gebiet der supraleitenden Elektronik in einem Forum zusammenbringt. Bis Donnerstag gastiert die internationale Veranstaltungsreihe im Radisson Blu Hotel Erfurt und deckt zentrale Zukunftsthemen ab, etwa Quantencomputer sowie energieeffiziente Elektronik, und bietet Forum für Innovationen in Wissenschaft und Industrie
Karriere im Hightech-Bereich – CiS Forschungsinstitut auf der Thüringer Jobmesse
Am Samstag, dem 14. Juni 2025 laden wir Sie ein, unser CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik auf der Thüringer Job- und Karrieremesse „academix trifft comeback“ im COMCENTER Brühl kennenzulernen.
Von 10:00 bis 15:00 Uhr können Berufseinsteiger und Spezialisten aus Naturwissenschaften und Ingenieurwesen unser Karriere-Chancen kennenlernen. Jugendlichen bieten wir Ausbildungsmöglichkeiten und Praktika in Informatik, Technik und Wirtschaft
Messepremiere auf der EPHJ 2025 in Genf
Ab morgen wird das CiS Forschungsinstitut erstmalig auf der EPHJ, einer internationalen Fachmesse für Hochpräzision in Genf sein Portfolio vorstellen. Bis zum 6. Juni 2025 präsentieren wir am Stand J122 in den Hallen der Palexpo in Genf unsere siliziumbasierten Sensortechnologien und Kompetenzen im Bereich MEMS sowie MOEMS einem internationalen Fachpublikum
