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Beiträge

Halbleiterkomplexmessplatz

29. Januar 2016/in Druck, Messtechnik

Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar

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https://www.cismst.de/wp-content/uploads/news-2016-01-29-home.jpg 90 120 CiS https://www.cismst.de/wp-content/uploads/logo-trans.png CiS2016-01-29 07:21:002021-02-23 13:20:23Halbleiterkomplexmessplatz

Halbleiterkomplexmessplatz

12. November 2015/in Druck, Messtechnik

Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar

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https://www.cismst.de/wp-content/uploads/news-2015-11-12-home.jpg 90 120 CiS https://www.cismst.de/wp-content/uploads/logo-trans.png CiS2015-11-12 10:45:002021-02-23 13:20:35Halbleiterkomplexmessplatz

Halbleiterkomplexmessplatz

5. November 2014/in Druck, Messtechnik

Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar

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https://www.cismst.de/wp-content/uploads/news-2014-11-05-home.jpg 90 120 CiS https://www.cismst.de/wp-content/uploads/logo-trans.png CiS2014-11-05 09:11:002021-02-23 13:20:51Halbleiterkomplexmessplatz
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  • Vier Teams des CiS Forschungsinstituts beim Erfurt-Triathlon 2026

    27. August 2026
  • Projektabschluss miniOffset: Piezoresistive Technologie-Plattform mit minimalem Offset

    19. August 2026
  • Projektabschluss InOxA: Innovative Oxidaufbauten für die Passivierung der Grenzflächen von Silizium

    12. August 2026
  • Projektabschluss PJS: Piezo-junction-Effekt basierte on-chip Multi-Sensoren

    5. August 2026
  • Projektstart CryoMAG-RX: Präziser Temperatursensor für kryogene Temperaturen

    29. Juli 2026

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