Vom 31. März bis zum 4. April 2025 präsentiert das CiS Forschungsinstitut sein Technologieportfolio im Rahmen der #hmi25. In Halle 6 auf dem Thüringer Gemeinschaftsstand der LEG (Stand F61) stellen unsere Experten siliziumbasierte MEMS- und MOEMS-Sensorkonzepte für vielseitige Anwendungen vor
Die führenden Photonik-Messe in der ASEAN-Region findet vom 26.-28. Februar im Marina Bay Sands statt. Auf dem Sonderausstellungsbereich Photonics + Europe presented by IVAM, EPIC and W3+ der IVAM, am Stand C206 präsentiert das CiS Forschungsinstitut einen Ausschnitt seines Portfolios und Prof. Thomas Ortlepp hält einen Vortrag zum Thema „Photonic Quantum Sensor Based on Diamond NV-Centers – Hybrid Integration and Performance Evaluation“
Vom 12. bis 15. November 2024 zeigen wir eine Auswahl unserer Forschungs- und Entwicklungsergebnisse. Die europäische Halbleiterindustrie trifft sich in den Hallen der Messe München. Interessierte Besucher finden unseren Stand auf dem Thüringer Gemeinschaftsstand der LEG C1718 in Halle C1. Wir freuen uns auf Ihren Besuch und anregenden Gedankenaustausch
Auf dem Innovationstag Mittelstand präsentiert das CiS Forschungsinstitut am 13. Juni 2024 in Berlin die Ergebnisse des Forschungsprojektes „SiDMeses“. Ziel war hierbei die Stabilität hybrid aufgebauter Silizium-Dehnungssensoren zu verbessern. Dabei konzentrierten sich die Forschungsarbeiten darauf, Montagespannungen zu minimieren und hohe Überlastfestigkeiten zu erreichen
Während der nächste Woche startenden Hannover Messe stellt das CiS Forschungsinstitut auf dem Thüringer Gemeinschaftsstand in Halle 3, Stand D76 einen galvanisch getrennten Inkrementalsensor vor. Im Rahmen des Förderprojektes GalGiS wurden neue Siliziumtechnologien entwickelt, um eine solche galvanische Trennung bereits auf Chipebene zu erreichen
Im Forschungsvorhaben SiDMeses konnte die Langzeitstabilität hybrid aufgebauter Silizium-Dehnungssensoren durch einen gezielten und beschleunigten Abbau der mechanischen Montagespannung signifikant verbessert und ein präziser extrem paralleler und symmetrischer Aufbau erzeugt werden
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