Dehnmessstreifen für anspruchsvolle Anwendungen
Für Präzisionskraftmessungen hat das CiS Forschungsinstitut aus Erfurt miniaturisierte Silizium-Dehnmessstreifen (Si-DMS) mit integrierter Messbrücke entwickelt. Durch die Verwendung von Halbleitertechnologien wird eine höhere Langzeitstabilität, Präzision und Messsicherheit im Vergleich zu duktilen Metall-DMS erreicht
Halbleiterkomplexmessplatz
Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar
„STREAM“ – Neues EU-Projekt am CiS gestartet
Am 18.01.2016 fand am CERN die Auftaktveranstaltung für ein neues Forschungsprojekt mit 11 europäischen Partnern aus der Schweiz, Deutschland, den Niederlanden, Großbritanien, Österreich, Italien, Norwegen und Frankreich statt. STREAM steht für „Smart Sensor Technologies and Training for Radiation Enhanced Applications and Measurements“ und wird durch die EU mit 3,9 Millionen Euro gefördert
AVT-Montage – kompakt, anwendungsspezifisch und industrierelevant
Ein neues Micromontagecenter erweitert die technologische Basis für die Entwicklung technologischer Lösungen zur vollautomatischen Herstellung von anwendungsspezifischen UV-LED-Modulen in unterschiedlicher Seriengröße. Das modulare Systemkonzept ermöglicht die Durchführung der wichtigsten AVT-Montageschritte in einem Gerät
Halbleiterkomplexmessplatz
Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar
Wafertechnologien für Mikro-Laserbeleuchtungen
Das CiS Forschungsinstitut hat eine kostengünstige Technologie zur Herstellung von hochstabilen Laserbeleuchtungen im Batchprozess entwickelt. Dabei werden bis zu 20.000 Stück dieser Baugruppen auf einem Glaswafer montiert. Die VCSEL-basierten Lasermodule zeichnen sich durch eine hohe Strahlqualität aus
Neue Sensortechnologien zur Pulskonturanalyse, Bestimmung der Herzratenvariabilität und Messung des Blutflusses im Gewebe
Das CiS Forschungsinstitut stellt miniaturisierte, in Silizium integrierte, multispektrale Photoplethysmographie-Sensoren vor. Diese werden im äußeren Gehörgang platziert und sind individuell auf den Patienten abgestimmt
Hochstabile Temperaturdioden mit Einpunktkalibrierung für den Temperaturbereich bis 220°C
Im CiS Forschungsinstitut wurden technologische Prozesse für Siliziumwafer entwickelt, mit denen eine reproduzierbare Empfindlichkeit dU/dT, also die Steigung der Spannung über der Temperatur erreicht werden konnte
Lange Nacht der Wissenschaften im CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik
Bereits zum 4. Mal beteiligt sich das im Südosten der Stadt Erfurt gelegene Forschungsinstitut an der Erfurter Wissenschaftsnacht. Am 06.11.2015 stellen Wissenschaftler und Ingenieure ihre Forschungsergebnisse und Anwendungen vor
Mikro-Laser-Doppler Sensoren für Blutflussmessungen
Das CiS Forschungsinstitut startet Entwicklungen zu einem miniaturisierten optischen Sensor für Untersuchungen der Blutflussgeschwindigkeit in der Haut. Das Sensorprinzip basiert auf dem Laser-Doppler-Verfahren. Dabei erfolgt durch elastische Streuung an den beweglichen Blutbestandteilen eine Verschiebung der Lichtwellenlänge, die durch kohärente Überlagerung mit dem Anregungslicht messbar wird
