Start für das Vorlaufforschungsprojekt „High-End Beschleunigungssensoren“(HEB) – Das Vorhaben zielt auf die Entwicklung eines CMOS-kompatiblen Fertigungsprozesses für hochauflösende kapazitive MEMS Beschleunigungssensoren mit einer Auflösung von 0,001⁰ zur kosteneffizienten Anwendung als Neigungssensor
In der chemischen Industrie, zum Beispiel bei der Herstellung von Batteriezellen ist eine genaue Temperaturmessung erforderlich. Dem CiS Forschungsinstitut gelang es in Rahmen des Projektes HotSens Temperaturdioden für den Hochtemperaturbereich bis maximal 300°C mit maximal einer Ein-Punkt-Kalibrierung herzustellen
Vom 28. bis 30. Oktober 2019 präsentieren Mitarbeiter des CiS Forschungsinstituts in drei der angebotenen Sessions aktuelle Entwicklungsergebnisse zu optischen Mikrosystemen, Aufbau- und Verbindungstechnik sowie Messtechnik
Mit der wiederholten Teilnahme als Aussteller auf dem Gemeinschafstand der Thüringer Landesentwicklungsgesellschaft konnte das CiS Forschungsinstitut durchweg positives Feedback in zahlreichen Gesprächen mit Interessenten aus Industrie und Mittelstand verzeichnen
Piezoresistive Drucksensorchips aus dem CiS werden dort eingesetzt, wo hohe Präzision, Stabilität und Zuverlässigkeit gefordert werden. Das gleiche Sensorprinzip wird nun auch zur Kraftmessung in Silizium-Dehnmessstreifen genutzt. Die dehnungsempfindlichen Widerstände werden dabei als Wheatstonesche Messbrücke in hauchdünne Chips monolithisch integriert
Für Präzisionskraftmessungen hat das CiS Forschungsinstitut aus Erfurt miniaturisierte Silizium-Dehnmessstreifen (Si-DMS) mit integrierter Messbrücke entwickelt. Die piezoresistiven Widerstände sind monolithisch in einkristallinem Silizium integriert (K-Faktor = 80) und liegen als Doppel-Dehnungselement und als Vollbrücke vor
Das Projekt SMARTER-SI bietet europaweit eine neuartige Fertigungsplattform an, auf der innovative und intelligente Sensorkomponenten und Mikrosysteme in kleinen und mittleren Stückzahlen kostengünstig gefertigt werden können. Rund 5,3 Millionen Euro Fördermittel fließen bis 2018 in den Aufbau und die Erprobung dieser Plattform
Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar
Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar
Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar
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