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Archiv für die Kategorie: Messtechnik

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Halbleiterkomplexmessplatz

12. November 2015/in Druck, Messtechnik

Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar

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https://www.cismst.de/wp-content/uploads/news-2015-11-12-home.jpg 90 120 CiS https://www.cismst.de/wp-content/uploads/logo-trans.png CiS2015-11-12 10:45:002021-02-23 13:20:35Halbleiterkomplexmessplatz

Halbleiterkomplexmessplatz

5. November 2014/in Druck, Messtechnik

Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar

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https://www.cismst.de/wp-content/uploads/news-2014-11-05-home.jpg 90 120 CiS https://www.cismst.de/wp-content/uploads/logo-trans.png CiS2014-11-05 09:11:002021-02-23 13:20:51Halbleiterkomplexmessplatz

Optische Strahler-Empfänger-Module als planare Mikrosysteme

4. April 2014/in Analytik, Medizintechnik, Messtechnik, MOEMS

Ein modulares Technologiekonzept ermöglicht die effiziente Entwicklung von optischen Sensoren mit eingebetteten Lichtquellen, Mikrooptiken zur Strahlformung oder -lenkung, optischen Filtern und einem optimierten Detektor-Array

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https://www.cismst.de/wp-content/uploads/news-2014-04-04-home.jpg 90 120 CiS https://www.cismst.de/wp-content/uploads/logo-trans.png CiS2014-04-04 13:14:002021-02-16 13:28:40Optische Strahler-Empfänger-Module als planare Mikrosysteme

Piezoresistive Hochtemperatur-Druckwandlerkerne

3. April 2014/in AVT, Druck, MEMS, Messtechnik

Das Projekt HotDru befasst sich mit der Entwicklung serienfertigungstauglicher Hochtemperaturdrucksensorsysteme mit einer Einsatztemperatur von bis zu 300°C. Die neu entwickelten Drucksensorchips werden in verschiedenen Versionen realisiert, die als Grundaufbau alle auf dem „Silicon on Insulator“ (SOI)-Prinzip beruhen

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https://www.cismst.de/wp-content/uploads/news-2014-04-03-home.jpg 90 120 CiS https://www.cismst.de/wp-content/uploads/logo-trans.png CiS2014-04-03 13:38:002021-02-16 13:50:31Piezoresistive Hochtemperatur-Druckwandlerkerne
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  • VACOM erhält Innovationspreis Thüringen 2025 für miniaturisierten Vakuumsensor CASSINI

    19. Dezember 2025
  • Projektabschluss KTB: Komplexe Tools zur Bauelementesimulation

    9. Dezember 2025
  • 7. Silicon Science Award – Preisverleihung auf der Waferbond 2025

    4. Dezember 2025
  • Projektstart ZEBA: Zerstörungsfreie Bildauswertung durch KI-gestützte Bildgebung für die Ermittlung des Berstdruckes

    26. November 2025
  • Zukunftsmusik auf der 4th Sensor and Application Technology Conference im chinesischen Shenzhen

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