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Archiv für die Kategorie: Messtechnik

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Halbleiterkomplexmessplatz

12. November 2015/in Druck, Messtechnik

Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar

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https://www.cismst.de/wp-content/uploads/news-2015-11-12-home.jpg 90 120 CiS https://www.cismst.de/wp-content/uploads/logo-trans.png CiS2015-11-12 10:45:002021-02-23 13:20:35Halbleiterkomplexmessplatz

Halbleiterkomplexmessplatz

5. November 2014/in Druck, Messtechnik

Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar

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https://www.cismst.de/wp-content/uploads/news-2014-11-05-home.jpg 90 120 CiS https://www.cismst.de/wp-content/uploads/logo-trans.png CiS2014-11-05 09:11:002021-02-23 13:20:51Halbleiterkomplexmessplatz

Optische Strahler-Empfänger-Module als planare Mikrosysteme

4. April 2014/in Analytik, Medizintechnik, Messtechnik, MOEMS

Ein modulares Technologiekonzept ermöglicht die effiziente Entwicklung von optischen Sensoren mit eingebetteten Lichtquellen, Mikrooptiken zur Strahlformung oder -lenkung, optischen Filtern und einem optimierten Detektor-Array

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https://www.cismst.de/wp-content/uploads/news-2014-04-04-home.jpg 90 120 CiS https://www.cismst.de/wp-content/uploads/logo-trans.png CiS2014-04-04 13:14:002021-02-16 13:28:40Optische Strahler-Empfänger-Module als planare Mikrosysteme

Piezoresistive Hochtemperatur-Druckwandlerkerne

3. April 2014/in AVT, Druck, MEMS, Messtechnik

Das Projekt HotDru befasst sich mit der Entwicklung serienfertigungstauglicher Hochtemperaturdrucksensorsysteme mit einer Einsatztemperatur von bis zu 300°C. Die neu entwickelten Drucksensorchips werden in verschiedenen Versionen realisiert, die als Grundaufbau alle auf dem „Silicon on Insulator“ (SOI)-Prinzip beruhen

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https://www.cismst.de/wp-content/uploads/news-2014-04-03-home.jpg 90 120 CiS https://www.cismst.de/wp-content/uploads/logo-trans.png CiS2014-04-03 13:38:002021-02-16 13:50:31Piezoresistive Hochtemperatur-Druckwandlerkerne
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  • Vortrag auf dem 21st „Trento“ Workshop on Advanced Silicon Radiation Detectors

    12. Februar 2026
  • Im-Ohr-Vitalsensor für Einsatzkräfte sowie Berg- und Luftsportler zur Erkennung von Gefahrensituationen

    6. Februar 2026
  • Projektabschluss Nanolever: Sensor zur Bestimmung der Schichtspannung

    4. Februar 2026
  • Von der Materialforschung bis zur Softwareentwicklung: Am CiS Experimentiertag praxisnah MINT-Berufe entdecken

    30. Januar 2026
  • NivLer – eine nachrüstbare Lösung für die Prozessdrucküberwachung

    28. Januar 2026

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