Andrea Cyriax berichtet über SiCer-Substrate bei Drucksensoren (siehe Bild)
Organisiert vom Gastgeber TU Ilmenau findet am Mittwoch, dem 7. April 2021, der erste öffentliche Statusworkshop zum Wachstumskern HIPS statt. Der Workshop wird von 9:00 bis 16:30 Uhr als kostenfreie online-Veranstaltung organisiert. Dazu sind Gäste und Interessenten herzlich willkommen!
- https://www.sicer.de/news/details/1-statusworkshop-des-bmbf-wachstumskerns-hips-high-performance-sensorik-2
- Agenda downloaden (PDF)
Im Wachstumskern HIPS (High Performance Sensors) engagieren sich 12 Thüringer Industrieunternehmen und 7 Forschungseinrichtungen, um die bereits die patentierte SiCer-Technologie, einer einzigartigen Verbindung von Siliziumtechnologie (Si) mit keramischer Mehrlagentechnik (Cer), zur Anwendungsreife zu bringen. Wesentlicher Baustein ist eine Technik, die als dreidimensionale Mehrlagenstruktur aufgebaut ist und neben elektrischen und elektronischen Funktionen zur Sensorinformationsgewinnung und -verarbeitung auch systemtechnologische Elemente der Fluidik und Sensorik enthält (SiCer®).
Die Vernetzung der beiden Technologiewelten kreiert eine vollkommen neue Technologieplattform mit einer Vielfalt neuer Sensoren und Messgrößen. Sie eröffnen ein großes Spektrum an Anwendungen in vielen Branchen. Gemeinsames Ziel der vorwiegend im Technologiedreieck Ilmenau – Erfurt – Jena/Hermsdorf des Sensorlandes Thüringen angesiedelten Partner ist es, basierend auf der SiCer-Technologie neue Hochleistungssensoren zu entwickeln und perspektivisch als Verbund zu vermarkten.
Das CiS Forschungsinstitut beteiligt sich an der Entwicklung der innovativen Multisensorplattform für Gase, Gaskonzentrationen, Drücke und Temperaturen, um diese in anspruchsvollen Umgebungen quantitativ erfassen zu können.
Im Teilprojekt Drucksensoren der nächsten Generation mit SiCer-Technologie (DS-SiCer, FKZ: 03WKDG03A) fokussiert das CiS Forschungsinstitut auf die Entwicklung eines Drucksensors auf SiCer-Basis und der gleichzeitig mit zu entwickelnden Technologien wie Si-Halbleiterprozesse, Aufbau –und Verbindungstechnik und Messtechnik. Ausgehend von der Konzeption über Simulation und Prozessierung bis zur Qualifizierung werden die einzelnen Wertschöpfungsstufen für eine industrielle Umsetzung betrachtet und für die Entwicklung weiterer Sensorarten wie NDIR-Sensor Temperatursensor und Multisensor aufbereitet.
Das Teilprojekt Plattform für eine SiCer kompatible Si-Sensortechnologie (SiCer-SST, FKZ: 03WKDG018) konzentriert sich das CiS Forschungsinstitut auf die Erforschung der Si-Prozesse und Prozesse der AVT für hochintegrierte Elektroniksysteme mit erweiterter Sensorfunktionalität. Schwerpunkte sind hier die Entwicklung und Qualifizierung von SiCer-kompatiblen RIE/DRIE Strukturierungsverfahren und sowie die Entwicklung von Waferlevel-Löt- und Bondprozessen, Vereinzelungstechnologien sowie Packaging-Prozessen inklusive der Qualifizierung durch Alterung und Zuverlässigkeitsuntersuchungen.
Im Rahmen dieser vom Bundesministerium für Bildung und Forschung finanzierten Veranstaltung soll neben dem Überblick über die Schwerpunkte des Wachstumskerns auch der Stand der Forschung und Technik zur Hochleistungssensorik, der Mehrlagenkeramiktechnologie und der Si-basierten Verbindungstechnik gegeben werden.
