Schnelle und kleine Spektralsensoren für Faser-Bragg-Gitter
Die im CiS Forschungsinstitut verfügbaren und weiterentwickelten MEMS-Technologien waren die Grundlage für die Entwicklung einer neuen Generation von Spektralsensoren, bestehend aus zwei übereinander gestapelten Detektorchips. Beide decken jeweils einen spezifischen Spektralbereich ab. Die obere Diode ist nur 50 µm dünn
