
Von der Forschung in die Praxis – Beiträge des CiS Forschungsinstitutes auf der SMSI 2025
/in MEMS, Messtechnik, MOEMS, VeranstaltungenParallel zur Messe Sensor+Test in Nürnberg vom 06.05.-08.05.2025 findet die 3. Sensor and Measurement Science International (SMSI) Konferenz im KongressCenter Nürnberg statt. Das CiS Forschungsinstitut ist mit 9 wissenschaftlichen Beiträgen vertreten.
Siliziumbasierte Sensorik Anfang Mai in Nürnberg auf der Sensor+Test 2025
/in MEMS, MOEMS, VeranstaltungenVom 6.-8. Mai 2025 stellt das CiS Forschungsinstitut sein aktuelles Portfolio auf der Sensor+Test in Nürnberg vor. Interessierte Besucher finden uns in Halle 1 an unserem Stand 501 im Messezentrum Nürnberg. Informationen zu unseren Highlights auf dem Gebiet der siliziumbasierten Sensorik für kundenspezifische Entwicklungen und Anwendungen finden Sie zum Download und Nachlesen
Frohe Ostertage – Kreativer Wettbewerb für die Kinder unserer Mitarbeitenden
/in CiS allgemeinAuch in diesem Jahr lud die Geschäftsführung des CiS Forschungsinstituts zu einer kreativen Mitmach-Aktion während der Osterzeit. Die Kinder aller Mitarbeitenden waren bis heute aufgerufen, selbstgemalte Bilder des Osterhasen oder österliches Selbstgebasteltes einzureichen. Für jedes teilnehmende Kind gab es eine süße Überraschung als Belohnung. In unserer Online-Galerie können die zahlreichen, kreativen Einreichungen der jungen Künstlerinnen und Künstler bestaunt werden
Projektstart NO-TICE: Minimierung der Temperaturabhängigkeit des Messsignals auf Grund einer Nullpunktverschiebung
/0 Kommentare/in Druck, Kraft, MEMSDas neu gestartete Forschungsprojekt NO-TICE am CiS Forschungsinstitut beinhaltet die Untersuchung zur Kompensation des Temperatureinflusses, insbesondere auf dem Nullpunkt des Rohsignals bei Sensoren mit einer sehr geringen Querdehnungsempfindlichkeit, um einen hohen Kalibieraufwand zu minimieren und damit die Ressourcen Kosten, Zeit sowie Material zu schonen
CiS Forschungsinstitut auf der internationalen Konferenz MATERIALSMEET2025 in Budapest
/in Simulation & Design, Veranstaltungen, WasserstoffIn Budapest findet vom 10.04.-12.04.2025 die internationale Konferenz MATERIALSMEET2025 statt, bei der Dr. Tobehn-Steinhäuser aus dem CiS Forschungsinstitut am 11.04.2025 als invited Speaker das Thema „Halbleiter-Bauelemente bei kryogenen Temperaturen“ für die Anwendung von Wasserstoff erörtern wird
Besuchen Sie uns auf der HANNOVER MESSE 2025
/in MEMS, MOEMS, VeranstaltungenVom 31. März bis zum 4. April 2025 präsentiert das CiS Forschungsinstitut sein Technologieportfolio im Rahmen der #hmi25. In Halle 6 auf dem Thüringer Gemeinschaftsstand der LEG (Stand F61) stellen unsere Experten siliziumbasierte MEMS- und MOEMS-Sensorkonzepte für vielseitige Anwendungen vor
Projektende PoRr: Photodioden ohne Rückreflexion
/in AVT, Messtechnik, MOEMSIm Projekt PoRr entwickelte ein Wissenschaftsteam des CiS Forschungsinstitutes Photodioden mit deutlich reduzierter Rückreflexion. Mittels spezieller Oberflächenstrukturierung werden die Reflexionen um 15% herabgesetzt. Eigens entwickelte Messplätze ermöglichen die Erfassung der Anteile der Gesamtreflexion bei verschiedenen Wellenlängen sowie die Erfassung der Winkelverteilung des reflektierten Lichtes bei verschiedenen Einfallswinkeln
Projekttreffen CoGeQ am CiS Forschungsinstitut
/in AVT, Quanten, VeranstaltungenAm 07.03.2025 diskutierten die Partner des BMBF-Verbundprojektes „Wettbewerbsfähiger Deutscher Quantenrechner (CoGeQ) am CiS Forschungsinstitut in Erfurt über den aktuellen Projektzwischenstand.
ISEC 2025 in Erfurt: Registrierung gestartet
/in VeranstaltungenDie Registrierung für die 19. Ausgabe der International Superconductive Electronics Conference (ISEC), die vom 15. bis 19. Juni 2025 in Erfurt stattfinden wird, ist gestartet! Sichern Sie sich Ihre Teilnahme und profitieren Sie noch bis zum 28. April 2025 vom attraktiven Early-Bird-Vorteil!
CiS Forschungsinstitut auf der DPG-Frühjahrstagung in Regensburg
/in VeranstaltungenAm 17. März 2025 erörtet Dr. Kevin Lauer in seinem Vortrag das Thema „Impact of a magnetic field on low-temperature photoluminescence of indium-doped silicon“. Sein Beitrag lädt zur Diskussion über das Leuchten der Akzeptor-interstitiellen Siliziumdefekte (ASi-Sii) ein