Zum zweiten Mal ist zeigt das CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik auf der Semicon Europe in München aktuelle Forschungsergebnisse siliziumbasierter Sensorik. Auf dem Gemeinschaftsstand der Landesentwicklungsgesellschaft Thüringen in Halle B1, Stand 317 stehen unsere Fachleute vom 10. bis 13. November für vertiefende Gespräche bereit. Auf dem Gelände der Messe München gilt die Semicon Europe als einer der wichtigsten Treffpunkte der europäischen Halbleiterindustrie und findet parallel zur internationalen Messe electronica statt.
Unsere Highlights am Thüringer Gemeinschaftsstand sind in diesem Jahr (Klicken für PDF-Infosheets):
- Rapid IC Prototyping durch leistungsfähige Bondtechnologien (Newsartikel)
- Piezoresistive Technologie-Plattform mit minimalem Offset (Infosheet: miniOffset)
- Hochempfindliche rauscharme Blauviolett-Avalanche-Photodiode für die Diagnostik (Infosheet: BVAPD)
- Härtemesskopf auf Basis eines neuartigen kombinierten Kraft-Wegsensors (Infosheet: NanoSense)
- Hochdrucksensor bis 300 MPa mit frontbündigem Medienanschluss (Infosheet: DS300MPa)
- Galvanisch getrennter Inkrementalsensor (Infosheet: GalGIS)
Die beschriebenen Forschungs- und Entwicklungsarbeiten wurden in den folgenden Forschungsprojekten durch das Bundesministerium für Wirtschaft und Energie (BMWE) gefördert:
Technologie-Plattform mit minimalem Offset (miniOffset)
FKZ: 49MF220087
Hochempfindliche rauscharme Blauviolett-Avalanche-Photodioden (BVAPD)
FKZ: 49MF200098
Entwicklung eines Härtemesskopfes auf Basis eines neuartigen kombinierten Kraft-Wegsensors mit einer Auflösung von 100 pm zur Ermittlung der Härte von Oberflächen im Nanometerbereich (NanoSense)
FKZ: KK5085702SN0
Hochdrucksensor mit frontbündigen Medienanschluss (DS300MPa)
FKZ: 49MF220019
Galvanisch getrennter Inkrementalsensor (GalGIS)
FKZ: 49VF123456
