
Silicon Science Award 2023 an Lukas Leon Barthelmann vergeben
/in CiS allgemein, VeranstaltungenMit dem Silicon Science Award wurden gestern insgesamt fünf herausragende Arbeiten von Nachwuchsforschenden ausgezeichnet. Die feierliche Preisverleihung fand am 4. September 2023 im Rahmen der Eröffnungsveranstaltung des internationalen 60th Ilmenau Scientific Colloquium „Engineering for a Changing World“ im Audimax der Technischen Universität Ilmenau statt
Aktuelle Entwicklungen in der Hybrid- und Wafer-Level-Montage
/in AVT, VeranstaltungenDer CiS Workshop mit Schwerpunkt Aufbau- und Verbindungstechnik findet am 12. September 2023 unter dem Motto “Aktuelle Entwicklungen in der Hybrid- und Wafer-Level-Montage” in Erfurt statt. Freuen Sie sich auf spannende Beiträge sowie reichlich Gelegenheit zum fachlichen Austausch und Netzwerken
Verbesserung der Stabilität hybrid aufgebauter Silizium-Dehnungssensoren (SiDMeses)
/in AVT, Druck, MEMSIm Forschungsvorhaben SiDMeses konnte die Langzeitstabilität hybrid aufgebauter Silizium-Dehnungssensoren durch einen gezielten und beschleunigten Abbau der mechanischen Montagespannung signifikant verbessert und ein präziser extrem paralleler und symmetrischer Aufbau erzeugt werden
Projektstart Thermopiles mit Absorber aus Kohlenstoffnanoröhren
/in MOEMSDas neue Vorhaben „Thermopiles mit Absorber aus Kohlenstoffnanoröhren“ untersucht die Integration dünner Beschichtungen aus Kohlenstoffnanoröhrchen auf Thermopiles mit dem Ziel kostengünstig eine höhere Absorption zu ermöglichen
Projektstart KoSenDi: Kompakte Sensoreinheit zur Messung von Magnetfeldern mittels Diamantfluoreszenz
/in AVT, MOEMSIm neu gestarteten Projekt KoSenDi (Kompakte Sensoreinheit zur Messung von Magnetfeldern mittels Diamantfluoreszenz) beschäftigen sich die Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler des CiS Forschungsinstituts mit der Miniaturisierung eines Magnetfeldsensors auf der Basis von Sticksoff-Fehlstellen (NV-Zentren) im Diamant
Projektstart NivLer: Nachrüstsatz zur nichtinvasiven Druckmessung
/in Druck, MEMS, MesstechnikDas neue Forschungsvorhaben NivLer am CiS Forschungsinstitut adressiert die Entwicklung eines Nachrüstsatzes zur nichtinvasiven Druckmessung in Prozessrohren, um zerstörungsfrei verschiedene Zustandsgrößen erfassen und digitalisieren zu können
Projektstart DiaTip: Aktive Rastersonden auf Diamantbasis für die QUANTEN Metrologie und Nanofabrikation – Entwicklung hybrider Aufbauverfahren
/in MEMS, QuantenDas CiS Forschungsinstitut ist Partner des gestarteten Verbundprojektes „DiaTip“. Gemeinsam mit den Partnern soll die effiziente Herstellung von Diamantspitzen sowie ein geeigneter Montageprozess für das Fügen zweier Komponenten „Aktiver Mikrocantilever“ und „Diamantspitze“ entwickelt werden
Neuartige Materialkombinationen und Sensorgeometrien für Widerstandsthermometer in der Wasserstoffwirtschaft
/in Druck, MEMSNeuartige Materialkombinationen und Sensorgeometrien für Widerstandsthermometer in der Wasserstoffwirtschaft – Im neuen Projekt Cryo-Resistance wird sowohl die Weiterentwicklung von industriell gefertigten Widerstandsthermometern in Zusammenarbeit mit der UST Umweltsensortechnik GmbH als auch mehrere Layout-Varianten, basierend auf Halbleitertechnologien des CiS Forschungsinstitutes verfolgt
Hybrid integrierte optische Sensoren auf Basis vorstrukturierter Adhäsivschichten
/in AVT, MOEMS, ProzessentwicklungDas Projekt „Hivos“ folgt dem Ansinnen der Industrie und strebt eine höhere Automatisierung durch Abscheiden und Strukturieren von Klebstoffbeschichtungen auf Waferebene und der damit verbundenen verbesserten Montagegenauigkeit an. Innovative Materialien und Prozesse sollen zudem die Wertschöpfung auf Wafer-/Nutzenlevel erhöhen
Piezo-junction-Effekt basierte on-chip Multi-Sensoren
/in MEMS, Messtechnik, ProzessentwicklungMit dem gestarteten Projekt „Piezo-junction-Effekt basierte on-chip Multi-Sensoren“ sollen im CiS Forschungsinstitut die Wirkungen von Umwelteinflüssen auf verschieden gestaltete pn-Übergänge bzw. komplexere bipolare laterale und vertikale on-chip-Siliziumstrukturen untersucht werden











