
Blutfluss im Gewebe berührungslos messen
/in Medizintechnik, MOEMSDer Mikro-Laser-Doppler Sensor (MiLD) zielt auf die Geschwindigkeitsmessung von lichtstreuenden Objekten und kann für die in-vivo-Bewertung der Strömungsgeschwindigkeit von Blut in der Haut genutzt werden. Zahlreiche Krankheitssymptome und Heilungsprozesse können überwacht werden
Neue Sensortechnologien zur Verfolgung von Blutdruckänderungen
/in Medizintechnik, MOEMS, Simulation & DesignDas CiS Forschungsinstitut entwickelt bereits seit gut einem Jahrzehnt miniaturisierte, in Silizium integrierte, multispektrale Photoplethysmographie-Sensoren. Die winzigen Sensoren werden im äußeren Gehörgang platziert und sind individuell auf den Patienten abgestimmt
Point-of-Care-Testsystem mit Multiparameter-Sensorik
/in Analytik, Medizintechnik, MOEMSEinen Mehrkanal-Messkopf für Untersuchungen an Probenvolumina im Nanoliter-Bereich hat das CiS Forschungsinstitut im Rahmen des Europäischen Forschungsprojektes „SMARTER-SI“ (GA-Nr. 644596) gemeinsam mit internationalen Partnern entwickelt. Das Prinzip beruht auf der Fluoreszenz- und Absorptionsmessung an einem Array aus verschiedenen Enzym-Pixeln
Mikrosystemtechniken für medizinische Anwendungen
/in Analytik, AVT, Medizintechnik, VeranstaltungenEntwickler und Hersteller von Sensorik, Medizintechnik und Bioanalytik trafen sich zum 1. Workshop in Erfurt am 10.05.2017, um innovative Lösungen aus der Mikrosystemtechnik in Prävention, Diagnose, Analytik und Therapie vorzustellen und sich interdiziplinär zu vernetzen
Schraube 4.0 auf der Hannovermesse präsentiert
/in Kraft, MEMS, Politik, VeranstaltungenErstmalig präsentierte das CiS auf dem Gemeinschaftsstand der LEG Thüringen auf der Hannovermesse 2017 einen neuen Sensor zur Prüfung von Spezialschrauben in sicherheitsrelevanten Anwendungen. Bezeichnet als „Schraube 4.0“, überzeugte das Modell die anwesenden Fachbesucher
Barometrischer MEMS Drucksensor für Bio- und Medizintechnik
/in AVT, Druck, Medizintechnik, MEMSZur Sensor+Test 2017 stellt das CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik hochstabile, medienbeständige barometrische Drucksensoren in MEMS-Technologie vor
UV-LEDs flexibel und effizient montieren – Vollautomatisches AVT-Montagecenter mit Vielfalt
/in AVT, MOEMS, UVEin neues Mikromontagecenter erweitert die technologische Basis für die Entwicklung technologischer Lösungen zur vollautomatischen Montage von anwendungsspezifischen UV-LED-Modulen in unterschiedlicher Seriengröße und Ausführungsformen, sei es als Single-LED-Quelle oder Flächenstrahler.
Das modulare Systemkonzept ermöglicht die Durchführung der wichtigsten AVT-Montageschritte in einem Gerät
Synthetische Diamantschichten in der Mikrosystemtechnik
/in Druck, MEMS, QuantenSynthetische Diamantschichten können im Industriemaßstab CMOS-kompatibel gefertigt werden. Die Herstellungs- und Bearbeitungskosten sind vergleichbar mit denen anderer Technologien, wie z.B. Passivierung oder Kontaktierung. Um Diamantschichten als passive sowie aktive Funktionsschicht in Sensoren zu implementieren und eine Bewertung der industriellen Anwendbarkeit vorzunehmen, widmet sich das CiS Forschungsinstitut in aktuellen FuE-Vorhaben der Druckmessung in aggressiven Arbeitsumgebungen und dem Intelligenten Wärmemanagement
Miniaturisierte UV-LED-Beleuchtung mit mehreren Wellenlängen
/in Medizintechnik, MOEMS, UVDas CiS Forschungsinstitut hat seine opto-elektronischen Kompetenzen erweitert, um multispektrale UV-Lichtquellen für Fluoreszenz- bzw. Absorbanzmessungen zu entwickeln. Hersteller von Messgeräten für die Bioanalytik und Medizintechnik können dadurch deutlich kleinere Systeme bauen und neue Anwendungsfelder erschließen. Zudem profitieren die Nutzer dieser Technologie auch von niedrigen Systemkosten
Schnelle und kleine Spektralsensoren für Faser-Bragg-Gitter
/in AVT, MOEMSDie im CiS Forschungsinstitut verfügbaren und weiterentwickelten MEMS-Technologien waren die Grundlage für die Entwicklung einer neuen Generation von Spektralsensoren, bestehend aus zwei übereinander gestapelten Detektorchips. Beide decken jeweils einen spezifischen Spektralbereich ab. Die obere Diode ist nur 50 µm dünn











