Erhöhung der Quanteneffizienz von Siliziumdioden in Rasterelektronenmikroskopen – Im Forschungsprojekt SiekeV wird an der Verbesserung von Rasterelektronenmikroskopen zur Analyse oberflächennaher Strukturen gearbeitet. Durch die Detektion niederenergetischer Elektronen sind sehr oberflächensensitive REM-Aufnahmen möglich
Da in diesem Jahr eine klassische gemeinsame Veranstaltung zum Jahresabschluss mit allen Kolleginnen und Kollegen nicht möglich ist, hat die Geschäftsführung des CiS Forschungsinstituts den Burgermann Foodtruck engagiert. Mit einer ausgeklügelten corona-konformen Bestell-Prozedur konnten alle Mitarbeitenden aus verschiedenen Burger-Menüs wählen und gestern Mittag ihr vorweihnachtliches Dankeschön für das Engagement in diesem nicht einfachen Jahr genießen
Eine neue Technologieplattform dient zur gezielten optischen Anpassung eines SNSPD-Silizium-Chipstapels. Dieser ist ein äußerst kompakter Aufbau eines supraleitenden Detektors mit effizienter Signalkopplung in einem Chipverbund sowie integrierten Optiken und Halterung einer Faser
Im Rahmen InnoCON Thüringen 2020 am 24.11.2020 erläuert Dr. Olaf Brodersen aktuelle Ergebnisse des Wachstumskerns HIPs und die darin zu entwickelnden SiCer-Technologien für High Performance Sensorsysteme. Die InnoCON startet als online-Veranstaltung um 15:00 Uhr
Das CiS Forschungsinstitut arbeitet seit mehr als 10 Jahren an der Entwicklung von photoplethysmographischen Sensoren zur kontinuierlichen Messung von Vitalparametern, wie Herzfrequenz, Herzratenvariabilität und Blutsauerstoffsättigung. Jüngstes Ergebnis ist ein miniaturisierter Sensor, der im Ohr außerdem noch den Blutdruck überwacht
Als online-Veranstaltung findet heute die zehnte Beiratssitzung des Konsortiums Advanced UV for Life (AUVL) statt. Das CiS Forschungsinstitut ist Koordinator des Arbeitsfelds „Module & Messtechnik“. In einem Vortrag wird Prof. Thomas Ortlepp von 11:45 Uhr bis 12:20 Uhr über die Wertschöpfung und Lieferketten innerhalb des Arbeitsfelds berichten
Harsche Umgebungsbedingen erfordern robuste und stabile Drucksensoren. Mit der Neu- und Weiterentwicklung von Wafer-Level-Packaging-Technologien werden die Performance gesteigert, Einsatzbereiche erweitert und Herstellkosten gesenkt. Das Ergebnis ist als Patent angemeldet
Die Teilnehmer des CiS MEMS-Workshops zum Thema Drucksensorik diskutierten online über die Entwicklung von Sensorelementen, deren Montage, Prüfmethoden und Anwendungen. Innovative AVT, insbeondere Waferbondverfahren bildeten diesmal einen Schwerpunkt
Staatssekretär für Wissenschaft und Hochschulen Carsten Feller sowie der kommissarischer Referatsleiter „Technologieförderung“ Robert Fetter trafen sich am gestrigen Nachmittag mit der Geschäftsleitung des CiS Forschungsinstituts am Standort im Erfurter Südosten
Simultane Messung von Differenzdruck und Prozessdruck – Der vom CiS verfolgte Ansatz nutzt miniaturisierte Drucksensoren, die mittels Flip-Chip-Technologien auf den Trägermaterialien wie Silizium oder Keramik aufgebracht werden können. Mittels angepasster Passivierungsverfahren (ALD, Parylene u.a.) sind die Drucksensoren in ihrer Ausführung medienresistent verfügbar
