CiS bei der SPIE Photonics West in San Francisco
Bereits am Samstag startet mit der SPIE Photonics West in San Francisco die weltweit größte Veranstaltung für photonische Technologien mit drei Konferenzen und zwei Messen
Sensoren für die Biomedizin präsentiert auf dem 25. Innovationstag des Mittelstandes des BMWi
/in AVT, Druck, Medizintechnik, MEMS, VeranstaltungenEin gutes Feedback und hohes Interesse erzeugte unsere Ausstellung auf dem Innovationstag des Mittelstandes des BMWi am 7. Juni 2018 in Berlin. Hier stellte unser Forschungsinstitut das INNO-KOM-Projekt „Wafer Level Packaged Pressure Sensor With Through Silicon Vias“ vor.
Workshop „Future Technologies for Radiation Detectors”
/in Analytik, AVT, Siliziumdetektoren, VeranstaltungenBereits zum 3. Male richtete der internationale Workshop „Future of Silicon Detector Technologies“ sein Augenmerk auf Technologien und Geräte für die Entwicklung und Herstellung von Strahlungsdetektoren. Im Fokus standen auch zukünftige Forschungsschwerpunkte, um Sensoren mit extrem hoher Strahlenhärte langzeitstabil und kostengünstig herstellen zu können. Gerade die neuen Experimente am CERN und bei der Gesellschaft für Schwerionenforschung im Darmstadt erfordern neben weiteren technischen Parametern diese Strahlenhärte
CiS bei der SPIE Photonics West 2018
/in AVT, MOEMS, Photonik, Veranstaltungen, WaferprozessierungZum ersten Mal war das CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH als Aussteller auf der SPIE Photonics West 2018 in San Francisco vertreten. Als einer von 70 deutschen Ausstellern auf dem im Deutschen Pavillon in der Nordhalle des Moscone Zentrum demonstrierte das CiS Forschungsinstitut seine Kompetenzen im Design sowie in der Herstellung und Montage von kundenspezifischen optischen Mikrosensoren
Druck, Kraft oder Dehnung zuverlässig messen – Piezoresistive Sensorelemente für die Medizintechnik
/in AVT, Druck, Kraft, Medizintechnik, MEMS, MesstechnikPiezoresistive Drucksensorchips aus dem CiS werden dort eingesetzt, wo hohe Präzision, Stabilität und Zuverlässigkeit gefordert werden. Das gleiche Sensorprinzip wird nun auch zur Kraftmessung in Silizium-Dehnmessstreifen genutzt. Die dehnungsempfindlichen Widerstände werden dabei als Wheatstonesche Messbrücke in hauchdünne Chips monolithisch integriert
Mikrosystemtechniken für medizinische Anwendungen
/in Analytik, AVT, Medizintechnik, VeranstaltungenEntwickler und Hersteller von Sensorik, Medizintechnik und Bioanalytik trafen sich zum 1. Workshop in Erfurt am 10.05.2017, um innovative Lösungen aus der Mikrosystemtechnik in Prävention, Diagnose, Analytik und Therapie vorzustellen und sich interdiziplinär zu vernetzen
Barometrischer MEMS Drucksensor für Bio- und Medizintechnik
/in AVT, Druck, Medizintechnik, MEMSZur Sensor+Test 2017 stellt das CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik hochstabile, medienbeständige barometrische Drucksensoren in MEMS-Technologie vor
UV-LEDs flexibel und effizient montieren – Vollautomatisches AVT-Montagecenter mit Vielfalt
/in AVT, MOEMS, UVEin neues Mikromontagecenter erweitert die technologische Basis für die Entwicklung technologischer Lösungen zur vollautomatischen Montage von anwendungsspezifischen UV-LED-Modulen in unterschiedlicher Seriengröße und Ausführungsformen, sei es als Single-LED-Quelle oder Flächenstrahler.
Das modulare Systemkonzept ermöglicht die Durchführung der wichtigsten AVT-Montageschritte in einem Gerät
Schnelle und kleine Spektralsensoren für Faser-Bragg-Gitter
/in AVT, MOEMSDie im CiS Forschungsinstitut verfügbaren und weiterentwickelten MEMS-Technologien waren die Grundlage für die Entwicklung einer neuen Generation von Spektralsensoren, bestehend aus zwei übereinander gestapelten Detektorchips. Beide decken jeweils einen spezifischen Spektralbereich ab. Die obere Diode ist nur 50 µm dünn
Silizium-Dehnmessstreifen
/in AVT, Druck, Kraft, Medizintechnik, MEMS, MesstechnikFür Präzisionskraftmessungen hat das CiS Forschungsinstitut aus Erfurt miniaturisierte Silizium-Dehnmessstreifen (Si-DMS) mit integrierter Messbrücke entwickelt. Die piezoresistiven Widerstände sind monolithisch in einkristallinem Silizium integriert (K-Faktor = 80) und liegen als Doppel-Dehnungselement und als Vollbrücke vor