Für Präzisionskraftmessungen hat das CiS Forschungsinstitut aus Erfurt miniaturisierte Silizium-Dehnmessstreifen (Si-DMS) mit integrierter Messbrücke entwickelt. Die piezoresistiven Widerstände sind monolithisch in einkristallinem Silizium integriert (K-Faktor = 80) und liegen als Doppel-Dehnungselement und als Vollbrücke vor
Forscher und Entwickler beider Einrichtungen bearbeiten gemeinsam ein Projekt, um mit einer multiphysikalischen Simulation eine größere Sicherheit bei der Entwicklung und Fertigung von anwendungsspezifischen piezoresistiven Drucksensoren zu erreichen
Das Projekt SMARTER-SI bietet europaweit eine neuartige Fertigungsplattform an, auf der innovative und intelligente Sensorkomponenten und Mikrosysteme in kleinen und mittleren Stückzahlen kostengünstig gefertigt werden können. Rund 5,3 Millionen Euro Fördermittel fließen bis 2018 in den Aufbau und die Erprobung dieser Plattform
Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar
Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar
Die hochpräzise Prozessmesstechnik steht mit Einsatztemperaturen von bis zu 300°C vor neuen Herausforderungen. Anlagen- und Messtechnikproduzenten wollen mit MEMS-basierten Druckwandlerkernen Funktionserweiterungen und neue Gestaltungsräume erschließen.
Die passenenden Mikrosystemtechnologien dazu hat jetzt das CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik aus Erfurt entwickelt
Mit hohem messtechnischem Aufwand werden Fertigungstechnologie sowie Sensoren geprüft und charakterisiert, um die gewünschten Eigenschaften langzeitstabil nachweisen zu können. Unterschiedliche Messverfahren werden hierzu benötigt. Einen Meilenstein zur Charakterisierung von Technologien und Sensoren stellt der neue Halbleiterkomplexmessplatz dar
Das Projekt HotDru befasst sich mit der Entwicklung serienfertigungstauglicher Hochtemperaturdrucksensorsysteme mit einer Einsatztemperatur von bis zu 300°C. Die neu entwickelten Drucksensorchips werden in verschiedenen Versionen realisiert, die als Grundaufbau alle auf dem „Silicon on Insulator“ (SOI)-Prinzip beruhen
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99099 Erfurt
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E-Mail: info@cismst.de
