Für Präzisionskraftmessungen hat das CiS Forschungsinstitut aus Erfurt miniaturisierte Silizium-Dehnmessstreifen (Si-DMS) mit integrierter Messbrücke entwickelt. Durch die Verwendung von Halbleitertechnologien wird eine höhere Langzeitstabilität, Präzision und Messsicherheit im Vergleich zu duktilen Metall-DMS erreicht
Das CiS Forschungsinstitut entwickelt verschiedene miniaturisierte Taster aus einkristallinem Silizium mit integrierter piezoresistiver Messbrücke für die schnelle Inline-Qualitätskontrolle von Bauelementen unterschiedlichster Materialien. Hohe Abtastraten werden dabei durch eine sehr geringe Antastkraft, eine hohe Eigenfrequenz (3…5 kHz), sowie eine sehr kleine Masse (≈0,1 mg) ermöglicht
Für Präzisionskraftmessungen in medizintechnischen Applikationen hat das CiS Forschungsinstitut aus Erfurt Silizium-Dehnmessstreifen (Si-DMS) mit integrierter Messbrücke entwickelt. Durch die Verwendung von Halbleitertechnologien wird eine höhere Langzeitstabilität, Präzision und Messsicherheit im Vergleich zu duktilen Metall-DMS erreicht
Die hochpräzise Prozessmesstechnik steht mit Einsatztemperaturen von bis zu 300°C vor neuen Herausforderungen. Anlagen- und Messtechnikproduzenten wollen mit MEMS-basierten Druckwandlerkernen Funktionserweiterungen und neue Gestaltungsräume erschließen.
Die passenenden Mikrosystemtechnologien dazu hat jetzt das CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik aus Erfurt entwickelt
Das EU-Projekt SMARTER-SI soll europaweit eine neuartige Fertigungsplattform für Mikrosysteme anbieten, auf der innovative und intelligente Sensorsysteme in kleinen und mittleren Stückzahlen kostengünstig gefertigt werden können. Spezielle Technologien für die Herstellung mechanischer und optischer Sensoren aus Silizium, kurz MEMS und MOEMS, kommen vom CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik aus Erfurt
Hohe Abtastraten und geringe Antastkraft verbindet ein neuer miniaturisierter Taster aus einkristallinem Silizium mit integrierter piezoresistiver Messbrücke. Die kraftabhängige Auslenkung bewirkt eine Änderung der mechanischen Spannung, welche piezoresistiv ausgewertet wird
Das Projekt HotDru befasst sich mit der Entwicklung serienfertigungstauglicher Hochtemperaturdrucksensorsysteme mit einer Einsatztemperatur von bis zu 300°C. Die neu entwickelten Drucksensorchips werden in verschiedenen Versionen realisiert, die als Grundaufbau alle auf dem „Silicon on Insulator“ (SOI)-Prinzip beruhen
Hohe Abtastraten und geringe Antastkraft verbindet ein neuer miniaturisierter Taster aus einkristallinem Silizium mit integrierter piezoresistiver Messbrücke. Robust gegenüber unterschiedlichen Umgebungseinflüssen schließt der Sensor eine Lücke zwischen AFM und einem klassischen Tastschnittgerät
Der Mikrotaster aus Silizium, hergestellt im CiS Forschungsinstitut, mit einer Masse von nur wenigen Mikrogramm, verfügt über einen hohen Dynamikbereich. Ausgestattet mit einer schnellen Digitalschnittstelle erfasst der taktile Taster problemlos die Messwerte in wenigen Minuten.
Auf dem IVAM-Produktmarkt „High-tech for Medical Devices“ zeigt das CiS Forschungsinstitut neue Ergebnisse aus Forschung und Entwicklung auf dem Gebiet der medizinischen Mikrosystemtechnik
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