Das CiS Forschungsinstitut verwendet für hybridaufgebaute Kraftsensoren eigene piezoresistive, miniaturisierte Dehnungssensoren aus Silizium (Si-DMS) mit bereits integrierter Vollbrücke. Als Fügetechnik der in 90° zueinander liegenden Si-DMS auf dem Federkörper kommt das Glaslot-Bonden zum Einsatz
Das CiS zeigt auf der vom IVAM Fachverbands für Mikrotechnik gestalteten Sonderausstellungsfläche „Microtechnologies for Optical Devices“ neuste Entwicklungen für die Bereiche Optik und Photonik täglich von 9:30 bis 17:00 Uhr
Die InnoCON bildet eine Plattform, die erfolgreiche Projekte vorstellt und zum Netzwerken einlädt. Das CiS Forschungsinstitut stellte technologische Herausforderungen des Projekts „TeSIS – Texturierter Schwarzkörper-MEMS-IR-Strahler“ vor und war auf dem Gemeinschaftsstand des FTVT dabei
Kupfer bietet als Basismetallisierung eine Vielfalt an Metallisierungsmöglichkeiten, die zur Prozessoptimierung des Thermokompressionsverfahrens notwendig sind
Vom 28. bis 30. Oktober 2019 präsentieren Mitarbeiter des CiS Forschungsinstituts in drei der angebotenen Sessions aktuelle Entwicklungsergebnisse zu optischen Mikrosystemen, Aufbau- und Verbindungstechnik sowie Messtechnik
Auf der Sensor+Test 2019 zeigt das CiS Forschungsinstitut aktuelle Entwicklungen und Forschungsergebnisse aus den Geschäftsfeldern MEMS, MOEMS und Siliziumdetektoren für Anwendungen in Industrie, Medizin- und Umwelttechnik
Anspruchsvolle AVT für Time-of-Flight Kamera-Module, doppelseitige Mikrostreifen-Detektoren und weitere aktuelle Entwicklungsergebnisse zeigt das CiS auf der HMI 2019 im Doppelpack: am Thüringen Gemeinschaftsstand der LEG in Halle 4, Stand F34 und am Stand des Forschungs- und Technologieverbund Thüringen e.V. (FTVT) in Halle 2, Stand A27
Bereits am Samstag startet mit der SPIE Photonics West in San Francisco die weltweit größte Veranstaltung für photonische Technologien mit drei Konferenzen und zwei Messen
Ein gutes Feedback und hohes Interesse erzeugte unsere Ausstellung auf dem Innovationstag des Mittelstandes des BMWi am 7. Juni 2018 in Berlin. Hier stellte unser Forschungsinstitut das INNO-KOM-Projekt „Wafer Level Packaged Pressure Sensor With Through Silicon Vias“ vor.
Bereits zum 3. Male richtete der internationale Workshop „Future of Silicon Detector Technologies“ sein Augenmerk auf Technologien und Geräte für die Entwicklung und Herstellung von Strahlungsdetektoren. Im Fokus standen auch zukünftige Forschungsschwerpunkte, um Sensoren mit extrem hoher Strahlenhärte langzeitstabil und kostengünstig herstellen zu können. Gerade die neuen Experimente am CERN und bei der Gesellschaft für Schwerionenforschung im Darmstadt erfordern neben weiteren technischen Parametern diese Strahlenhärte
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