Die Teilnehmer des CiS MEMS-Workshops zum Thema Drucksensorik diskutierten online über die Entwicklung von Sensorelementen, deren Montage, Prüfmethoden und Anwendungen. Innovative AVT, insbeondere Waferbondverfahren bildeten diesmal einen Schwerpunkt
Simultane Messung von Differenzdruck und Prozessdruck – Der vom CiS verfolgte Ansatz nutzt miniaturisierte Drucksensoren, die mittels Flip-Chip-Technologien auf den Trägermaterialien wie Silizium oder Keramik aufgebracht werden können. Mittels angepasster Passivierungsverfahren (ALD, Parylene u.a.) sind die Drucksensoren in ihrer Ausführung medienresistent verfügbar
Im Rahmen des 8. GMM-Workshop Mikro-Nano-Integration 2020 ist das CiS Forschungsinstitut mit zwei spannenden Kurzvorträgen vertreten. Die Online-Fachtagung wird von der VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikrosystem- und Feinwerktechnik in Zusammenarbeit mit Ruhr-Universität Bochum veranstaltet
Thüringer Industrieunternehmen und Forschungseinrichtungen arbeiten im Wachstumskern HIPS gemeinsam daran, basierend auf der bereits patentierten SiCer-Technologie neue Hochleistungssensoren zu entwickeln und perspektivisch gemeinsam zu vermarkten. Die SiCer-Technologie steht für eine einzigartige Verbindung von Siliziumtechnologie (Si) mit keramischer Mehrlagentechnik (Cer)
Das CiS Forschungsinstitut verwendet für hybridaufgebaute Kraftsensoren eigene piezoresistive, miniaturisierte Dehnungssensoren aus Silizium (Si-DMS) mit bereits integrierter Vollbrücke. Als Fügetechnik der in 90° zueinander liegenden Si-DMS auf dem Federkörper kommt das Glaslot-Bonden zum Einsatz
Für seine Dissertation „Prozess- und Sensorentwicklung für fertigungsgerechte hochtemperaturtaugliche Drucksensorsysteme auf Siliziumbasis“ wurde unser Mitarbeiter Dr. Robert Täschner mit dem Silicon Science Award ausgezeichnet. Der CiS e.V. vergibt diesen Award für herausragende wissenschaftliche Leistungen auf dem Gebieten der Mikrosystemtechnik
Mit einem neuen plasmaunterstütztem Ätz-Prozess werden gleichzeitig eine dünne funktionale Membran und ein Bruchgraben für die folgende Chipvereinzelung erzeugt. Bei MEMS-IR-Emittern erhält man damit gegenüber dem Stand der Technik mehr als Faktor 4 kleinere Flächen und eine um Faktor 2 höhere Dynamik
Dauerhaft sichere Flanschverbindungen sind die Grundvoraussetzungen für stabile Produktionsprozesse und Arbeiten auf einem hohen Sicherheitslevel. Aktuell entwickelte siliziumbasierte MEMS-Sensoren werden auf Schraubenköpfen appliziert und messen deren Verformung aufgrund Änderungen der Vorspannkraft
Zur Umsetzung der Nationalen Wasserstoffstrategie ist das CiS Forschungsinstitut Partner in zwei Forschungsprojekten. Das Konsortium HYPOS entwickelt Lösungen für die gesamte Wertschöpfungskette und breite Anwendung von grünem Wasserstoff in vielen Branchen
Passivierschichten aus synthetischem Diamant sind besonders medienresistent. Eine kostengünstige Implementierung von Diamantschichten in relevanten Sensorbereichen wurde mittels Adaption von Technologien der Mikrosystemtechnik zuverlässig erprobt
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