Der direkte Medienkontakt ist für siliziumbasierte Mikrosensoren aufwendig umzusetzen. Um die Miniaturisierung vollständig auszunutzen, wird der Korrosionsschutz auf Chipebene aufgebracht. Damit wird eine Anwendung in anspruchsvolleren Umgebungen auch ohne zusätzliche Schutzkonstruktionen möglich
Im Rahmen InnoCON Thüringen 2020 am 24.11.2020 erläuert Dr. Olaf Brodersen aktuelle Ergebnisse des Wachstumskerns HIPs und die darin zu entwickelnden SiCer-Technologien für High Performance Sensorsysteme. Die InnoCON startet als online-Veranstaltung um 15:00 Uhr
Harsche Umgebungsbedingen erfordern robuste und stabile Drucksensoren. Mit der Neu- und Weiterentwicklung von Wafer-Level-Packaging-Technologien werden die Performance gesteigert, Einsatzbereiche erweitert und Herstellkosten gesenkt. Das Ergebnis ist als Patent angemeldet
Die Teilnehmer des CiS MEMS-Workshops zum Thema Drucksensorik diskutierten online über die Entwicklung von Sensorelementen, deren Montage, Prüfmethoden und Anwendungen. Innovative AVT, insbeondere Waferbondverfahren bildeten diesmal einen Schwerpunkt
Simultane Messung von Differenzdruck und Prozessdruck – Der vom CiS verfolgte Ansatz nutzt miniaturisierte Drucksensoren, die mittels Flip-Chip-Technologien auf den Trägermaterialien wie Silizium oder Keramik aufgebracht werden können. Mittels angepasster Passivierungsverfahren (ALD, Parylene u.a.) sind die Drucksensoren in ihrer Ausführung medienresistent verfügbar
Im Rahmen des 8. GMM-Workshop Mikro-Nano-Integration 2020 ist das CiS Forschungsinstitut mit zwei spannenden Kurzvorträgen vertreten. Die Online-Fachtagung wird von der VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikrosystem- und Feinwerktechnik in Zusammenarbeit mit Ruhr-Universität Bochum veranstaltet
Thüringer Industrieunternehmen und Forschungseinrichtungen arbeiten im Wachstumskern HIPS gemeinsam daran, basierend auf der bereits patentierten SiCer-Technologie neue Hochleistungssensoren zu entwickeln und perspektivisch gemeinsam zu vermarkten. Die SiCer-Technologie steht für eine einzigartige Verbindung von Siliziumtechnologie (Si) mit keramischer Mehrlagentechnik (Cer)
Das CiS Forschungsinstitut verwendet für hybridaufgebaute Kraftsensoren eigene piezoresistive, miniaturisierte Dehnungssensoren aus Silizium (Si-DMS) mit bereits integrierter Vollbrücke. Als Fügetechnik der in 90° zueinander liegenden Si-DMS auf dem Federkörper kommt das Glaslot-Bonden zum Einsatz
Für seine Dissertation „Prozess- und Sensorentwicklung für fertigungsgerechte hochtemperaturtaugliche Drucksensorsysteme auf Siliziumbasis“ wurde unser Mitarbeiter Dr. Robert Täschner mit dem Silicon Science Award ausgezeichnet. Der CiS e.V. vergibt diesen Award für herausragende wissenschaftliche Leistungen auf dem Gebieten der Mikrosystemtechnik
Mit einem neuen plasmaunterstütztem Ätz-Prozess werden gleichzeitig eine dünne funktionale Membran und ein Bruchgraben für die folgende Chipvereinzelung erzeugt. Bei MEMS-IR-Emittern erhält man damit gegenüber dem Stand der Technik mehr als Faktor 4 kleinere Flächen und eine um Faktor 2 höhere Dynamik
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